[发明专利]窄带可调谐射频(RF)功率放大器和相关方法有效
申请号: | 201180033908.7 | 申请日: | 2011-06-23 |
公开(公告)号: | CN102986135A | 公开(公告)日: | 2013-03-20 |
发明(设计)人: | P·N·莫甘;T·J·迪普伊;D·E·博克尔曼 | 申请(专利权)人: | 嘉伍琳半导体有限公司 |
主分类号: | H03F3/191 | 分类号: | H03F3/191;H03F3/24 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国德*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 窄带 调谐 射频 rf 功率放大器 相关 方法 | ||
1.一种窄带可调谐射频(RF)功率放大器,其包括:
放大器电路,其被配置用于接收射频(RF)信号并且产生放大的RF输出信号,所述放大器电路被配置用于基于一个或多个调谐控制信号跨越多个不同的频带提供可调谐的窄带增益响应,并且所述窄带增益响应跨越所述不同的频带呈线性;以及
控制电路,其被配置用于基于频带选择信号提供所述一个或多个调谐控制信号到所述放大器电路;
其中所述多个不同的频带中的每个与不同的通信系统相关;
其中所述窄带增益响应被配置用于传递选择的频带内的频率并且抑制所述选择的频带以外的频率;以及
其中所述放大器电路和所述控制电路被集成在相同的集成电路上。
2.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中使用CMOS工艺制造所述放大器电路和所述控制电路。
3.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述放大器电路包括一个或多个放大级和与所述一个或多个放大级相关的一个或多个可调谐谐振结构,每个所述可调谐谐振结构被配置用于接收所述一个或多个调谐控制信号以调整用于所述放大器电路的所述窄带增益响应。
4.根据权利要求3所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述一个或多个可调谐谐振结构包括一个或多个可变电容器。
5.根据权利要求3所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中用于所述窄带增益响应的中心频率是可调整的。
6.根据权利要求5所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中用于所述窄带增益响应的带宽是可调整的。
7.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述多个频带在600MHz以上。
8.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述放大器电路包括单端的输入信号和单端的输出信号。
9.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述放大器电路包括差分的输入信号和差分的输出信号。
10.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其进一步包括:
传输输入管脚,其被耦合到所述放大器电路并且被配置用于接收所述RF信号;
传输输出管脚,其被耦合到所述放大器电路并且被配置用于输出所述放大的RF信号;以及
至少一个频带选择输入管脚,其被耦合到所述控制电路并且被配置用于接收频带选择信号。
11.根据权利要求10所述的窄带可调谐RF功率放大器,其中所述频带选择信号包括被配置以提供到通信设备的天线开关模块的信号。
12.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其进一步包括:
传输输入管脚,其被耦合到所述放大器电路并且被配置用于接收所述RF信号;
传输输出管脚,其被耦合到所述放大器电路并且被配置用于输出所述RF信号;以及
至少一个控制输入管脚,其被耦合到所述控制电路并且被配置用于接收控制信号,所述控制信号被配置用于提供频带选择。
13.根据权利要求1所述的窄带可调谐RF功率放大器,其进一步包括被耦合到所述控制电路以调整所述窄带增益响应的一个或多个内部控制信号。
14.一种用于操作窄带可调谐射频(RF)功率放大器的方法,其包括:
从多个不同的频带选择用于窄带可调谐RF功率放大器的操作频带,所述多个不同的频带中的每个与不同的通信系统相关;
调谐所述窄带可调谐RF功率放大器以具有针对所述选择频带的窄带增益响应,所述窄带增益响应被配置用于传递在选择的频带内的频率并且抑制在所述选择的频带以外的频率;
接收射频(RF)信号;
使用已调谐的所述窄带增益响应放大所述RF输入信号,所述窄带增益响应跨越所述选择的频带呈线性;以及
输出放大的所述RF信号;
其中所述选择、调谐、接收、放大和输出步骤在单个集成电路内被执行。
15.根据权利要求14所述方法,其中所述选择、调谐、接收、放大和输出步骤在单个CMOS集成电路内被执行。
16.根据权利要求14所述方法,其中所述调谐步骤包括调谐与一个或多个放大级相关的一个或多个谐振结构以调整所述窄带增益响应。
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