[发明专利]碳化硅双极结晶体管的电导率调制

权利要求书

1.一种制造碳化硅双极结晶体管（100）BJT的方法，包括集电极区域（120）、基极区域（140）以及发射极区域（160），其中，所述方法包括以下步骤：

提供设置在所述基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带（145）之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由所述基极区域和所述发射极区域形成，其中，通过增大中间区域的掺杂级来提高所述集电极区域内电导率调制的程度，从而使从本征基极区域到所述接触带的少数载流子的扩散电流减少，所述中间区域的掺杂级至少为1×10¹⁸cm^-3。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述中间区域设置在所述基极区域的无源部分中。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述中间区域设置在所述基极发射极结的边缘（162）与用于电接触所述基极区域的所述接触带的边缘之间。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，影响少数载流子的扩散电流的另一个参数为所述中间区域的尺寸（W），所述尺寸对应于所述基极发射极结的边缘（162）与用于电接触所述基极区域的所述接触带的边缘之间的距离。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，根据以下处理步骤形成所述中间区域：

移除位于所述基极区域的无源部分中的至少一部分基极区域；

在所述BJT的顶部提供一层半导体材料；以及

移除位于所述发射极区域的顶部上的所述一层半导体材料。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中，根据以下处理步骤形成所述中间区域：

在所述集电极区域的顶部提供一层半导体材料；以及

移除与所述基极区域和所述发射极区域相对应的位置的所述一层半导体材料。

7.一种碳化硅双极结晶体管（100）BJT，包括集电极区域（120）、基极区域（140）、以及发射极区域（160），其中，

所述BJT包括设置在基极发射极结与用于电接触所述基极区域的接触带之间的半导体材料的中间区域（180），所述基极发射极结由所述基极区域和所述发射极区域形成，其中，增大中间区域的掺杂级使得从本征基极区域到所述接触带的少数载流子的扩散电流减少，从而提高所述集电极区域内电导率调制的程度，所述掺杂级至少为1×10¹⁸cm^-3。

8.根据权利要求7所述的BJT，其中，所述中间区域位于所述基极区域的无源部分中。

9.根据权利要求7或8所述的BJT，其中，所述中间区域设置在所述基极发射极结的边缘（162）与用于电接触所述基极区域的所述接触带的边缘之间。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的BJT，其中，确定所述集电极区域内电导率调制的程度的另一个参数为所述中间区域的尺寸（W），所述尺寸对应于所述基极发射极结的边缘（162）与用于电接触所述基极区域的所述接触带的边缘之间的距离。

11.根据权利要求10所述的BJT，其中，所述基极发射极结与用于电接触所述基极区域的所述接触带之间的距离至少为5微米。

12.根据权利要求7至11中任一项所述的BJT，其中，所述中间区域的半导体材料的掺杂级的范围在5×10¹⁸到1×10²⁰cm^-3，并且优选约为1×10¹⁹cm-3。

13.根据权利要求7至12中任一项所述的BJT，所述BJT为垂直BJT，并且用于确定电导率调制的程度的一个参数为所述中间区域的横向宽度。