[发明专利]固体摄像装置、摄像装置无效

专利信息
申请号: 201180034629.2 申请日: 2011-07-15
公开(公告)号: CN103004181A 公开(公告)日: 2013-03-27
发明(设计)人: 吉田真治 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H04N5/369 分类号: H04N5/369;H01L27/14;H04N5/355
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固体 摄像 装置
【权利要求书】:

1.一种固体摄像装置,具有由具备在半导体基板表面形成的光电转换元件的像素部以二维状排列而成的摄像区域,

该固体摄像装置具备:

层间膜,在上述光电转换元件之上形成,由介电体构成;

光衰减过滤器,在上述层间膜之上,与每个像素部或者与由多个像素部构成的每个像素块相对应地形成,通过施加电压使光的透射率发生变化;以及

开关晶体管,在上述半导体基板内,与上述光衰减过滤器相对应地形成,用于连接或者阻断向上述光衰减过滤器的电压施加路径。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置,

上述光衰减过滤器具备:

下部透明电极,层叠于由上述介电体构成的层间膜上;

固体电解质层及活性物质层,层叠于上述下部透明电极上;以及

上部透明电极,层叠于上述固体电解质层及上述活性物质层中的上层之上,

上述固体电解质层由绝缘性的介电体构成,并且是通过向上述下部透明电极及上述上部透明电极施加电压而产生离子插入及释放的材料,

上述活性物质层是伴随着由于施加电压而产生的上述离子的插入及释放、吸收光谱发生变化的材料。

3.如权利要求2所述的固体摄像装置,

上述活性物质层是由WO3、MoO3或者IrO2构成的非晶态的膜。

4.如权利要求2所述的固体摄像装置,

上述固体电解质层由ZrO2、Ta2O5、Cr2O3、V2O5、SiO2、Nb2O5及HfO2中的至少一个构成,且含有氢。

5.如权利要求2所述的固体摄像装置,

上述固体电解质层由包含Li、Na及Ag中的至少一个的、锆、钽、铬、钒、铌及铪的氧化物中的一个构成。

6.如权利要求2所述的固体摄像装置,

上述光衰减过滤器在上述固体电解质层与上述活性物质层之间还具备由绝缘体构成的薄膜绝缘层,

上述绝缘体是SiO2、SiON及SiN中的任意一个。

7.如权利要求1~6的任意一项所述的固体摄像装置,

上述固体摄像装置设置于用N2或者稀有气体充满的气密密封的封装内。

8.一种摄像装置,

具备:

权利要求1~7中任意一项所述的固体摄像装置;以及

用于调节射入上述摄像区域的光量的信号处理装置,

上述信号处理装置具备:

判定部,在摄像曝光之前,对从上述像素部输出的亮度信号是否饱和进行预先判定;以及

透射率控制部,当上述判定部判定为上述亮度信号饱和时,在上述摄像曝光之前,通过设定向上述光衰减过滤器的施加电压对上述光衰减过滤器的透射率进行电控制,以使得上述摄像曝光时的亮度信号在饱和信号以下。

9.如权利要求8所述的摄像装置,

上述固体摄像装置,按由2行2列的像素部构成的每个像素块具备上述光衰减过滤器,

上述信号处理装置还具备确定部,该确定部根据预先取得的上述摄像区域的亮度信号强度分布,确定产生饱和信号的区域,

上述透射率控制部,在上述摄像曝光之前,通过设定向上述像素块配置的上述光衰减过滤器的施加电压对上述光衰减过滤器的透射率进行电控制,以使得由上述确定部所确定的上述区域所包含的像素块的上述摄像曝光时的亮度信号在饱和信号以下。

10.如权利要求8所述的摄像装置,

上述固体摄像装置具有由2行2列的像素部构成的像素块,

上述像素块,构成由获得绿色信号的G1像素部及G2像素部、获得红色信号的R像素部、以及获得蓝色信号的B像素部构成的拜耳排列,

上述光衰减过滤器,只配置在上述G1像素部和G2像素部的上部,

上述判定部,在摄像曝光之前,对从上述G1像素部及G2像素部输出的亮度信号是否饱和进行预先判定,

上述透射率控制部,当上述判定部判定为上述亮度信号饱和时,在上述摄像曝光之前,通过设定向上述光衰减过滤器的施加电压对上述光衰减过滤器的透射率进行电控制,以使得上述摄像曝光时的亮度信号在饱和信号以下。

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