[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201180034897.4 | 申请日： | 2011-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN103003934A | 公开（公告）日： | 2013-03-27 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;加藤清;长塚修平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L21/336;H01L21/8247;H01L27/108;H01L27/115;H01L29/786;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱孟清 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
存储单元，包括：
第一晶体管，包括：
第一沟道形成区；
所述第一沟道形成区上的第一栅极绝缘层；
所述第一栅极绝缘层上的第一栅电极，其中所述第一栅电极与所述第一沟道形成区重叠；以及
源区及漏区，其中所述第一沟道形成区夹在所述源区和所述漏区之间；
第二晶体管包括：
第二沟道形成区；
与所述第二沟道形成区电连接的源电极及漏电极；
所述第二沟道形成区上的第二栅电极；以及
所述第二沟道形成区和所述第二栅电极之间的第二栅极绝缘层；以及
所述源区和所述漏区之一与所述第二沟道形成区之间的绝缘层，其中，所述第一晶体管与所述第二晶体管彼此至少部分重叠，并且，所述第二栅极绝缘层和所述绝缘层满足公式：
其中，ta表示所述第二栅极绝缘层的厚度，tb表示所述绝缘层的厚度，εra表示所述第二栅极绝缘层的介电常数，并且εrb表示所述绝缘层的介电常数。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述源电极和所述漏电极之一与所述第一栅电极电连接。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，由所述源电极和所述漏电极之一以及所述第二栅极绝缘层、导电层构成电容器。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，
所述第一沟道形成区包括第一半导体材料，
所述第二沟道形成区包括第二半导体材料，
并且，所述第一半导体材料和所述第二半导体材料彼此不同。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二沟道形成区包括氧化物半导体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
