[发明专利]转印用施主基板及使用其的器件的制造方法、及有机EL元件无效
申请号: | 201180035007.1 | 申请日: | 2011-07-12 |
公开(公告)号: | CN103004291A | 公开(公告)日: | 2013-03-27 |
发明(设计)人: | 梅原正明;谷村宁昭;藤森茂雄 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H05B33/10 | 分类号: | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/22 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;王大方 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转印用 施主 使用 器件 制造 方法 有机 el 元件 | ||
1.一种转印用施主基板,包括基板和形成在所述基板上的光热转换层,其特征在于,所述光热转换层的表面为粗糙面。
2.如权利要求1所述的转印用施主基板,其中,所述光热转换层的表面的算术平均粗糙度为30nm以上。
3.如权利要求1或2所述的转印用施主基板,其中,所述基板的形成光热转换层一侧的表面的算术平均粗糙度为30nm以上。
4.如权利要求1~3中任一项所述的转印用施主基板,其中,表面的凹凸平均间隔为20μm以下。
5.如权利要求1~4中任一项所述的转印用施主基板,其中,在所述光热转换层的上表面形成有分区图案。
6.一种器件的制造方法,包括下述工序:
使权利要求1~5中任一项所述的转印用施主基板与器件基板对置的工序;及
通过对所述光热转换层照射光,将转印层转印到所述器件基板上的工序。
7.一种有机EL元件,具有有机化合物层,所述有机化合物层包括被夹持在至少一对电极间的发光层,有机化合物层的至少一部分是使用转印法形成的,其特征在于,子像素的绝缘层的宽度小于40μm,并且子像素内的发光区域的发光亮度不均为±20%以下。
8.如权利要求7所述的有机EL元件,其中,所述子像素的绝缘层的宽度为30μm以下。
9.一种有机EL元件,具有有机化合物层,所述有机化合物层包括被夹持在至少一对电极间的发光层,有机化合物层的至少一部分是使用转印法形成的,其特征在于,子像素的绝缘层的宽度小于40μm,并且使用转印法形成的有机化合物层中,子像素内的发光区域的膜厚不均为±10%以下。
10.如权利要求9所述的有机EL元件,其中,所述子像素的绝缘层的宽度为30μm以下。
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