[发明专利]太阳能电池的制造方法和制膜装置

权利要求书

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于，在形成防反射膜兼钝化膜之后、电极形成工序之前对半导体基板实施退火工序。

2.权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括对半导体基板的扩散层形成工序和电极烧成工序中的任一个或两个工序。

3.权利要求1或2所述的太阳能电池的制造方法，其中，在半导体基板上形成扩散层，接着，在扩散层上形成防反射膜兼钝化膜之后，实施退火工序，然后，实施包括电极烧成工序的电极形成工序。

4.权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，半导体基板是p型，在受光面侧形成n型扩散层，并在其上形成防反射膜兼钝化膜之后，实施退火工序。

5.权利要求3所述的太阳能电池的制造方法，其中，半导体基板是n型，在受光面侧形成p型扩散层，同时在与受光面相反的一面侧形成n型扩散层，并且在上述两个扩散层上分别形成防反射膜兼钝化膜之后，实施退火工序。

6.权利要求3至5中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述钝化膜是MgF₂、SiO₂、Al₂O₃、SiO、SiN、TiO₂、Ta₂O₅、ZnS中的任一种或它们的叠层。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在200℃以上1000℃以下实施所述退火工序。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，所述退火工序的处理时间是10秒钟以上90分钟以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于，在空气、H₂、N₂、O₂、Ar中的任一种或它们的混合气氛中实施所述退火工序。

10.一种形成钝化膜的制膜装置，其特征在于，包括在形成所述钝化膜之后能进一步继续实施退火工序的加热室。