[发明专利]用于等离子体浸没离子注入的剂量测量设备

权利要求书

1.一种用于离子注入的剂量测量设备，该设备包括：估算注入电流的估算模块（CUR），次生电子检测器（DSE），用于通过所述注入电流与来自所述次生电子检测器的电流之差来估算离子电流的控制电路（CC），

其特征在于，所述高能次生电子检测器包括专门支承互相绝缘的以下三个电极的收集器（COL,P）：

－用于排斥预定符号的要被排斥的电荷的第一排斥电极（G1,A1,T1），该电极具有至少一个允许电子通过的孔；

－用于排斥相反符号的要被排斥的电荷的第二排斥电极（G2,A2,T2），该电极也具有至少一个允许电子通过的孔；

－选择电极（G3,A3,T3），该电极也具有至少一个允许电子通过的孔。

2.如权利要求1所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极的孔在形成所述次生电子检测器（DSE）的开口的传导筒（D）上对齐。

3.如权利要求1或2所述的剂量测量设备，其特征在于，所述收集器（COL）呈现为杯形。

4.如权利要求1-3中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极（G1-A1-T1,G2-A2-T2,G3-A3-T3）是铝制的。

5.如权利要求1-4中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，两个相邻电极（G1-G2,G2-G3）之间的间距介于6mm至10mm之间。

6.如权利要求1-5中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极（G1-A1-T1,G2-A2-T2,G3-A3-T3）的开口的面积介于15mm²至30mm²之间。

7.如权利要求1-6中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极由网格（G1,G2,G3）构成。

8.如权利要求7所述的剂量测量设备，其特征在于，所述网格（G1,G2,G3）的穿透度大于50%。

9.如权利要求7或8所述的剂量测量设备，其特征在于，两个相邻网格之间的距离记作h，所述网格的孔的直径记作D，比率h/D大于1。

10.如权利要求1-6中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，所述电极由环（A1-T1,A2-T2,A3-T3）构成。

11.如权利要求10所述的剂量测量设备，其特征在于，两个相邻环形之间的距离记作h，所述传导筒的直径记作D，比率h/D大于1。

12.如前述权利要求中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于，还包括分光计（SPC），用于估算预定离子种类的比例，所述控制电路（CC）包括用于将所述比例应用于离子电流的装置。

13.如前述权利要求中任一项所述的剂量测量设备，其特征在于包括至少一个附加的次生电子检测器。