[发明专利]用于通过分子间附着将两个晶片键合在一起的方法和装置

权利要求书

1.一种通过分子间附着将第一晶片（202）键合到第二晶片（206）上的方法，所述方法包括，施加用于所述第一晶片和所述第二晶片之间的键合波（222）的启动点（216），所述方法的特征在于，所述方法进一步包括，当所述键合波在所述第一晶片和所述第二晶片之间传播时，朝向所述键合波的启动点，在所述第一晶片和所述第二晶片之间喷射气体流（228）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中喷射的气体流为具有低于10000ppm的水浓度的干噪气体流，以便使得遍及两个晶片的键合表面（202a、206a）中的至少一个的水解除吸附。

3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述气体流的温度在从所述第一晶片和所述第二晶片的周围温度到200°C的范围之内。

4.根据权利要求1至权利要求3中任一项所述的方法，其中所述气体流选自于氩气流、氖气流、氦气流、氮气流、二氧化碳气流，以及空气流中的至少一个。

5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的方法，其中所述气体流的宽度对应于两个晶片的直径。

6.一种用于通过分子间附着将第一晶片（202）键合到第二晶片（206）上的装置（215），所述装置包括工具（214），所述工具用于施加用于所述第一晶片和所述第二晶片之间的键合波（222）的启动点（216），所述装置的特征在于，所述装置进一步包括喷射工具（226），所述喷射工具配置成当所述键合波在所述第一晶片和所述第二晶片之间传播时，朝向所述键合波的启动点，在所述第一晶片和所述第二晶片之间喷射气体流（228）。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述喷射工具配置成喷射具有低于10000ppm的水浓度的干噪气体流，以便使得遍及两个晶片的键合表面（202a、206a）中的至少一个的水解除吸附。

8.根据权利要求6或权利要求7所述的装置，其中所述喷射工具配置成喷射温度在从所述第一晶片和所述第二晶片的周围温度到200°C的范围之内的气体流。

9.根据权利要求6至权利要求8中任一项所述的装置，其中所述气体流选自于氩气流、氖气流、氦气流、氮气流、二氧化碳气流，以及空气流中的至少一个。

10.根据权利要求6至权利要求9中任一项所述的装置，其中所述喷射工具配置成使得所述气体流的宽度对应于两个晶片的直径。