[发明专利]零功率泄露按钮控件

权利要求书

1.一种装置，包括：

多个常开可手动操作的开关；

第一MOSFET，具有耦合到所述多个开关的每一个开关的第一栅极以及耦合到功率源的高电势端子以从其接收电功率的第一源极；

第二MOSFET，具有耦合到所述功率源的低电势端子的第二源极，同样耦合到所述第一MOSFET的所述第一栅极的第二漏极，以及通过至少所述第一MOSFET的所述第一源极和第一漏极从所述功率源接收电功率的第二栅极；

控制器，耦合到所述第一漏极并且包括多个开关输入，其中所述多个开关的每一个开关耦合到所述多个开关输入的一个开关输入；并且

其中闭合所述多个开关的所述开关之一将所述第一栅极耦合到所述功率源的所述低电势端子，使所述第一MOSFET进入导通状态，通过所述第一MOSFET向所述第二栅极并且向所述控制器提供高电势，使所述第二MOSFET进入导通状态，向所述第一栅极提供低电势以将所述第一MOSFET和第二MOSFET锁存在导通状态，并且使得所述控制器能够锁存所述多个开关输入的状态并且识别所述开关中的哪一个被闭合。

2.如权利要求1的装置，其中：

所述多个开关的每一个开关被指定作为可手动操作的控件，其使得所述装置的用户能够控制所述装置的功能方面；并且

所述控制器包括执行指令序列的处理设备，所述指令序列存储在所述控制器内并且使所述处理设备按照用户手动操作所述开关中被识别为闭合的所述一个开关所指示的进行动作。

3.如权利要求1的装置，其中：

所述第一漏极通过电阻器耦合到所述第二栅极；

所述控制器进一步包括耦合到所述第二栅极的关输出，以使得所述控制器能够驱动低电势到所述第二栅极以将所述第二MOSFET置于非导通状态，从而使所述第一MOSFET和第二MOSFET停止被锁存在导通状态中。

4.如权利要求1的装置，其中所述第二漏极和所述第一栅极通过可被手动操作以使所述第一MOSFET和第二MOSFET停止被锁存在导通状态中的常关开关而耦合。

5.一种操作装置的方法，包括：

等待通过由多个开关的一个常开开关被手动操作以闭合而触发的第一MOSFET和第二MOSFET的锁存相互作用导致的从功率源提供电功率；以及

锁存所述多个开关的每一个开关的状态并且识别被闭合以触发所述第一MOSFET和第二MOSFET的所述锁存相互作用的开关。

6.如权利要求5的方法，其中：

所述多个开关的每一个开关被指定作为可手动操作的控件，其使得所述装置的用户能够控制所述装置的功能方面；并且

所述方法进一步包括按照用户手动操作所述开关中被识别为闭合的所述一个开关所指示的进行动作。

7.如权利要求5的方法，进一步包括向所述第二MOSFET的栅极提供低电势以将所述第二MOSFET置于非导通状态中以中断所述第一MOSFET和第二MOSFET的所述锁存相互作用。