[发明专利]反射型可变光衰减器有效
申请号: | 201180035334.7 | 申请日: | 2011-06-27 |
公开(公告)号: | CN103003738B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 小野博章;中田英则;河合博贵;大田犹子;中村太郎 | 申请(专利权)人: | 湖北工业株式会社 |
主分类号: | G02F1/09 | 分类号: | G02F1/09;G02B27/28 |
代理公司: | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人: | 杨勇;郑建晖 |
地址: | 日本滋贺*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 可变 衰减器 | ||
1.一种反射型可变光衰减器,其沿光轴依次设置:光输入输出部、具有法拉第转子的光衰减机构部、反射体,
上述光衰减机构部包括:永久磁铁,该永久磁铁对上述法拉第转子的面内方向施加固定磁场,以便实现磁饱和;以及可变磁场发生机构,该可变磁场发生机构对上述法拉第转子的光轴方向施加可变磁场;
上述永久磁铁通过与上述法拉第转子的光轴相交叉的方向的侧面相对来设置。
2.根据权利要求1所述的反射型可变光衰减器,其特征在于,上述永久磁铁为铁氧体类永久磁铁,
上述可变磁场发生机构为空芯线圈,
在上述空芯线圈的内部空间内部设置上述法拉第转子和上述永久磁铁。
3.根据权利要求1或2所述的反射型可变光衰减器,其特征在于,上述法拉第转子为稀土类铁榴石单晶体,上述固定磁场的施加方向为上述法拉第转子的<211>方向,上述可变磁场的施加方向为法拉第转子的<111>方向。
4.根据权利要求1或2所述的反射型可变光衰减器,其特征在于,上述法拉第转子为稀土类铁榴石单晶体,上述固定磁场的施加方向相对上述法拉第转子的<211>方向在5~20度的范围内,上述可变磁场的施加方向为法拉第转子的<111>方向。
5.根据权利要求1~4中的任意一项所述的反射型可变光衰减器,其特征在于,包括设置于上述光轴上的旋转角补偿用法拉第转子以及用于设定该旋转角补偿用法拉第转子的法拉第旋转角的磁场施加机构,
按照下述方式设定上述法拉第转子的法拉第旋转角与上述转角补偿用法拉第转子的法拉第旋转角,该方式为,在上述可变磁场为零时,从上述光输入输出部而输入的入射光通过上述反射体而反射,返回的反射光从上述输入输出部以100%被输出或遮挡。
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