[发明专利]场探头

权利要求书

1.一种射频场探头，包括：

具有第一和第二相对端的中空茎，所述茎沿茎轴线呈细长状；

连接于所述茎的第一端并位于其附近的中空的、RF透明的壳体；

电子器件壳体，所述电子器件壳体连接于所述茎的第二端并位于其附近，由此使所述电子器件壳体远离所述RF透明的壳体；

设置在所述RF透明的壳体内的一组三个偶极子，每个偶极子具有从中央馈电点沿直线沿两个相反方向延伸的两个元件，所述三个偶极子的馈电点分别位于与所述茎轴线垂直的等边三角形的底边的中点上；以及

三条细长的馈电线，这些馈电线分别连接于偶极子的馈电点并通过中空茎与茎轴线呈平行关系地沿纵长方向延伸；

其中：

每个偶极子的元件从所述偶极子的馈电点延伸所沿的直线相对于偶极子的馈电线的纵长方向以54.7°角设置，所述每个偶极子的元件延伸所沿的直线垂直于一虚平面，两个其它偶极子的元件延伸所沿的直线与所述虚平面平行；

每个偶极子的元件和连接于其馈电点的馈电线在共同的电路板上形成为薄膜阻性元件。

2.如权利要求1所述的射频场探头，其包括三块电路板，其特征在于，每个所述偶极子和与其馈电点连接的所述馈电线在所述三块电路板中的一者上形成为薄膜阻性元件，每块所述电路板包括：在其上形成馈电线的第一细长部，所述第一细长部具有与所述第一细长部的纵长方向平行延伸的细长侧边缘；以及沿所述纵长方向彼此隔开的第一和第二相对端；以及位于所述第一端并在其上形成偶极子的交叉构件，所述交叉构件以细长窄带的形式出现并相对于所述第一细长部的纵长方向成54.7°角地设置。

3.如权利要求2所述的射频场探头，其特征在于，所述三块电路板中的每一块的第一细长部的侧边缘分别与另外两块电路板以边对边关系设置，由此所述三块电路板的第一细长部呈现细长的、等边三角棱柱的侧壁的形状。

4.如权利要求3所述的射频场探头，其特征在于，包括位于所述细长等边三角棱柱内的粘合带，所述粘合带以所述边对边关系将三块电路板中的一块电路板的第一细长部固定于另外两块电路板的第一细长部。

5.如权利要求4所述的射频场探头，其特征在于，包括位于所述细长等边三角棱柱外部的附加粘合带，所述附加粘合带将所述另外两块电路板以边对边关系固定。

6.如权利要求3所述的射频场探头，其特征在于，每块电路板的每个所述交叉构件具有从其第一细长部以锐角延伸的第一部分以及从其第一细长部以钝角延伸的第二部分，并且每块电路板的交叉构件的第一部分在所述电路板中的相邻一块电路板的第一细长部和所述交叉构件的第二部分之间延伸。

7.如权利要求6所述的射频场探头，其特征在于，所述RF透明的壳体是具有内壁的中空球形，并且所述内壁包括六个狭缝，每个所述狭缝接纳并紧密配合所述交叉构件中的一个的端部。

8.如权利要求2所述的射频场探头，其特征在于，每个所述电路板具有：第一和第二相对面，所述薄膜阻性元件被设置在每块电路板的第一面，每块电路板在其第一面上包括导电焊盘以形成对其上的薄膜阻性元件的电连接，以及第一掩模层，所述第一掩模层除了所述导电焊盘的位置外基本覆盖其所述整个第一面以防止焊料粘附至电路板除所述导电焊盘以外的其它部分，并且每块电路板的整个第二面也基本由第二掩模层覆盖，所述第二掩模层具有与所述第一掩模层基本相同的表面张力。

9.如权利要求1所述的射频场探头，其特征在于，包括在每个偶极子上的探测二极管，所述探测二极管在所述馈电点将其两个元件相连。

10.如权利要求9所述的射频场探头，其特征在于，包括分支电路，所述分支电路包括跨每个所述二极管连接的阻性元件和容性元件。

11.如权利要求1所述的射频场探头，其特征在于，所述薄膜阻性元件由镍镉合金构成。

12.如权利要求11所述的射频场探头，其特征在于，包括形成对所述薄膜阻性元件的电连接的导电焊盘，所述导电焊盘形成为覆盖在所述薄膜阻性元件部分之上的铜层。