[发明专利]利用位线电压逐步增加来对非易失性存储器进行编程

权利要求书

1.一种用于对一组非易失性存储元件进行编程的方法，包括：

将一组编程脉冲（1005、1010、…）施加到该组非易失性存储元件（155），该组非易失性存储元件中的每个非易失性存储元件与相应位线（BL0、BL1、…）相关联，该组非易失性存储元件包括非易失性存储元件的不同子集，每个子集被编程到多个目标数据状态（A、B、C）当中的相应目标数据状态的相应校验电平（Vva、Vvb、Vvc），非易失性存储元件的所述不同子集包括被编程到一个相应目标数据状态的一个相应校验电平的、非易失性存储元件的一个子集；

在该组编程脉冲期间，针对非易失性存储元件的所述一个子集，确定何时满足第一触发条件；以及

当满足所述第一触发条件时，以与该组编程脉冲中的多个连续编程脉冲中的每个编程脉冲步伐一致的方式，逐步增加所述一个子集中的尚未被锁定为不编程的非易失性存储元件的相应位线的电压（Vbl）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中：

该组非易失性存储元件与公共字线（WLn）通信；以及

该组编程脉冲经由所述公共字线而被施加到该组非易失性存储元件。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中：

基于何时达到预定的编程脉冲编号而满足所述第一触发条件。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中：

基于所述一个子集中的至少最小数目的非易失性存储元件的阈值电压何时已被校验为达到所述一个相应校验电平而满足所述第一触发条件。

5.根据权利要求4所述的方法，其中：

当所述一个子集中的所述至少最小数目的非易失性存储元件的所述阈值电压已被校验为达到所述一个相应校验电平时，满足所述第一触发条件，之后将固定数目的编程脉冲施加到该组非易失性存储元件。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，还包括：

在满足所述第一触发条件之前，在该组编程脉冲中的先于所述第一触发条件的每个编程脉冲期间固定所述电压。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，还包括：

针对所述一个子集中的尚未被锁定为不编程的、其阈值电压在所述一个相应目标数据状态的第一校验电平和第二校验电平之间的非易失性存储元件，将所述电压提高附加的固定量。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中：

使用与所述一个相应目标数据状态相关联的步长来逐步增加所述电压，其中，不同的相应步长与所述多个目标数据状态中的至少两个不同的相应目标数据状态相关联。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中：

在所述多个连续编程脉冲期间，以第一速率（R1）来逐步增加所述电压、然后以更高的第二速率（R2）来逐步增加所述电压。

10.根据权利要求8所述的方法，其中：

在所述多个连续编程脉冲期间，随后以小于所述第二速率的第三速率来逐步增加所述电压。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括：

在该组编程脉冲期间，针对非易失性存储元件的所述一个子集，确定何时满足第二触发条件；以及

当满足所述第二触发条件时，在该组编程脉冲中的一个或更多个另外的编程脉冲中的每个编程脉冲期间，将所述电压固定为低于锁定电平（Vbl-lockout）。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其中，非易失性存储元件的所述不同子集包括被编程到另一相应目标数据状态的另一相应校验电平的、非易失性存储元件的另一子集，所述另一相应目标数据状态比所述一个相应目标数据状态高，所述方法还包括：

在该组编程脉冲期间，针对非易失性存储元件的所述另一子集，确定何时满足另一触发条件；以及

当满足所述另一触发条件时，以与该组编程脉冲中的另外多个连续编程脉冲中的每个编程脉冲步伐一致的方式，逐步增加所述另一子集中的尚未被锁定为不编程的非易失性存储元件的相应位线的电压，其中在满足所述第一触发条件之后满足所述另一触发条件。

13.根据权利要求12所述的方法，其中：

基于何时满足所述第一条件而满足所述另一触发条件，之后将固定数目的编程脉冲施加到该组非易失性存储元件。