[发明专利]用于光电器件的铜(I)配合物无效
申请号: | 201180035523.4 | 申请日: | 2011-07-20 |
公开(公告)号: | CN103052644A | 公开(公告)日: | 2013-04-17 |
发明(设计)人: | H·耶辛;R·切尔维尼克;U·蒙克维乌斯 | 申请(专利权)人: | 辛诺拉有限公司 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;H01L51/00 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈文平 |
地址: | 德国艾根*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 光电 器件 配合 | ||
1.一种用于发射光线的中性单核铜(I)配合物,其具有根据式A的结构
其中:
-M:Cu(I);
-L∩L:带单个负电荷的二齿配体;
-N∩N:二亚胺配体,其被R和FG取代,特别是取代的2,2’-联吡啶-衍生物(bpy)或1,10-菲咯啉-衍生物(phen);
-R:至少一个有空间需求的取代基,其用于阻止铜(I)配合物在激发态下朝向平面化的几何变化;
-FG=官能团:至少一个用于传输电子并且用于增加在有机溶剂中的溶解度的第二取代基,或者至少一个用于空穴传输和用于增加在有机溶剂中的溶解度的第二取代基,
其中所述官能团直接或通过桥基键合至二亚胺配体;
其中铜(I)配合物:
-具有在最低激发单重态(S1)和位于其下的三重态(T1)之间的小于2500cm-1的ΔE(S1-T1)值;
-具有最多20μs的发射衰减时间;
-具有大于40%的发射量子产率,和
-具有在有机溶剂中至少1g/L的溶解度。
2.根据权利要求1所述的铜(I)配合物,其中二亚胺配体N∩N为取代的2,2’-联吡啶-衍生物(bpy)或1,10-菲咯啉-衍生物(phen),其中
-bpy-配体在3,3′-位上被取代基如烷基[CH3-(CH2)n-](n=1-20)(任选支化)或芳基(特别是苯基)取代,或者其中
-phen-配体在2,9-位上被取代基如烷基[CH3-(CH2)n-](n=1-20)(任选支化)或芳基(特别是苯基)取代。
3.根据权利要求1或2所述的铜(I)配合物,其中用于阻止配合物在激发态下的平面化的至少一个有空间需求的取代基R选自:烷基-(CH2)n-CH3(n=0-20)(任选支化)、具有6-20个碳原子的芳基(例如-OPh)、烷氧基-O-(CH2)n-CH3(n=0-20)、芳氧基(例如-OPh)和硅烷基(例如-SiMe3),
其中烷基和芳基可以任选地被(例如卤素、烷氧基或硅烷基等)取代和/或任选地稠合形成稠环体系。
4.根据权利要求1至3的铜(I)配合物,其中所述至少一个有空间需求的取代基R增加了铜(I)配合物在有机溶剂中的溶解度和/或增加了空穴传输或电子传输。
5.根据权利要求1至4的铜(I)配合物,其中用于阻止配合物在激发态下平面化的至少一个有空间需求的取代基R为
-1,10-菲咯啉-配体的2位和/或9位上的脂族基团,或
-2,2’-联吡啶-配体的3位和/或3’位上的脂族基团。
6.根据权利要求1至5的铜(I)配合物,其中所述铜(I)配合物具有-小于1500cm-1,优选小于1000cm-1,特别优选小于500cm-1的ΔE(S1-T1)值;
-大于40%,优选大于60%,特别优选大于70%的发射量子产率;-最多10μs,优选小于6μs,特别优选小于3μs的发射衰减时间;和/或
-在有机溶剂中至少10g/L的溶解度。
7.根据权利要求1至6的铜(I)配合物用于发射光线的的用途,特别是在光电器件的发射体层中用于发射光线的用途。
8.用于制造光电器件的方法,其中使用权利要求1至7的铜(I)配合物。
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