[发明专利]层间绝缘层形成方法和半导体装置

权利要求书

1.一种层间绝缘层形成方法，其为通过等离子体CVD法形成半导体装置的层间绝缘层的方法，该层间绝缘层形成方法的特征在于，包括：

向被减压的处理容器内搬入基板的工序；

对与所述基板相隔离开的第一空间供给等离子体生成气体的工序；

在所述第一空间对所述等离子体生成气体进行激发的工序；和

对所述第一空间和所述基板之间的第二空间供给至少含有氢基或烃基的硼化合物的原料气体的工序。

2.如权利要求1所述的层间绝缘层形成方法，其特征在于：

对所述等离子体生成气体进行激发的工序使用经由缝隙向所述处理容器内放射的微波。

3.如权利要求1或2所述的层间绝缘层形成方法，其特征在于：

所述原料气体含有硼、碳和氮。

4.如权利要求1~3中任一项所述的层间绝缘层形成方法，其特征在于：

所述原料气体含有烷基硼烷或烷基氨基硼烷。

5.如权利要求1~4中任一项所述的层间绝缘层形成方法，其特征在于：

对所述第一空间和/或第二空间供给氨气或烃气体。

6.如权利要求1~5中任一项所述的层间绝缘层形成方法，其特征在于：

对所述第一空间供给氮气。

7.一种半导体装置，其为隔着形成有含有硼、碳和氮的无定形结构的层间绝缘层进行多层布线的半导体装置，其特征在于：

所述层间绝缘层在含有六方晶氮化硼和立方晶氮化硼的无定形结构中混合存在烃基或烷基氨基。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

所述层间绝缘膜层所含有的六方晶氮化硼的量比立方晶硼的量少。