[发明专利]多晶硅锭制造装置、多晶硅锭的制造方法及多晶硅锭

权利要求书

1.一种多晶硅锭制造装置，具有：水平截面为矩形的坩埚；配设于该坩埚的上方的上部加热器；及配设于所述坩埚的下方的下部加热器，使积存于所述坩埚内的硅熔融液从所述坩埚的底面朝向上方单向凝固，其特征在于，

具备对所述坩埚的侧壁部中所述底面侧的至少一部分进行加热的辅助加热器。

2.如权利要求1所述的多晶硅锭制造装置，其中，

所述辅助加热器构成为对所述侧壁部的由水平截面所形成的环状矩形的各一边的中央区域进行加热，

相对于所述侧壁部中所述一边的全长L，该中央区域沿所述底面的方向的长度l设定在0.3×L≤l≤0.7×L的范围内。

3.如权利要求1或2所述的多晶硅锭制造装置，其中，

所述辅助加热器配设成与所述坩埚的侧壁部中所述底面侧的一部分对置，相对于所述坩埚的总高HP，所述辅助加热器的高度h设定在0.1×HP≤h≤0.3×HP的范围内。

4.一种多晶硅锭的制造方法，其特征在于，该方法利用权利要求1至3中任一项所述的多晶硅锭制造装置，该方法具备：

熔解工序，熔融装入于所述坩埚内的硅原料来生成所述硅熔融液；及

凝固工序，停止所述下部加热器，对积存于所述坩埚内的所述硅熔融液赋予上下方向的温度差，从而使积存于所述坩埚内的所述硅熔融液从所述坩埚的底面侧朝向上方单向凝固，

所述凝固工序中，利用所述辅助加热器对所述坩埚的侧壁部的至少一部分进行加热。

5.如权利要求4所述的多晶硅锭制造方法，其中，

在所述坩埚内，将从所述坩埚的底面起至高度为X的区域定为初始区域，

所述凝固工序中的硅固相的高度处于所述初始区域内的期间，利用所述辅助加热器对所述坩埚的侧壁进行加热，

相对于所述坩埚内的所述硅熔融液的液面高度HM，所述初始区域的高度X设定在X≤0.3×HM的范围内。

6.一种多晶硅锭，其特征在于，利用权利要求4或5所述的多晶硅锭的制造方法制造，

与凝固方向正交的截面呈矩形面状，该矩形面的一边长度为550mm以上，

在从与所述坩埚的底面接触的所述多晶硅锭的底部距离高度为50mm的部分的截面内，所述矩形面的一边的中央部分的氧浓度为5×10¹⁷atm/cm³以下。