[发明专利]基于取代的[1]苯并噻吩并[3,2-b][1]苯并噻吩的半导体

权利要求书

1.通式(I)的化合物：

其中Z为：

-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₁-C₂₂烷基；

-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₅-C₁₂环烷基；

-被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₆-C₁₄芳基或选自噻吩基、吡咯基、呋喃基或吡啶基的杂芳基；

-任选被卤素、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)、磺酸基团-SO₃H、卤代甲硅烷基-SiHal_nR²_3-n(R²=C₁-C₁₈烷基，n=1-3的整数)、巯基或三烷氧基甲硅烷基-Si(OR³)₃(R³=C₁-C₁₈烷基)取代的C₇-C₃₀芳烷基；或者

-三烷基甲硅烷基R⁵R⁶R⁷Si，其中R⁵、R⁶、R⁷彼此独立地为相同或不同的C₁-C₁₈烷基。

2.根据权利要求1的化合物，其中Z表示基团-A-R⁴，其中：

A表示未支化的C₁-C₂₂亚烷基；且

R⁴表示卤素、巯基、膦酸基或膦酸酯基-P(O)(OR¹)₂(其中基团R¹可相同或不同且为氢原子或C₁-C₁₂烷基)。