[发明专利]纳米线催化剂

权利要求书

1.催化剂，其包含无机催化多晶纳米线，在5keV下通过TEM在明场模式下测定，所述纳米线的有效长度与实际长度之比小于1，且纵横比大于10，其中所述纳米线包括第1族至第7族中任一族的元素、镧系元素、锕系元素或它们的组合中的一种或多种元素。

2.如权利要求1所述的催化剂，其中所述一种或多种元素为氧化物、氢氧化物、羟基氧化物、硫酸盐、碳酸盐、氧化物碳酸盐、草酸盐、磷酸盐、磷酸氢盐、磷酸二氢盐、卤氧化物、羟基卤化物、羟基氧化物、含氧硫酸盐或它们的组合的形式。

3.如权利要求2所述的催化剂，其中所述一种或多种元素为氧化物的形式。

4.如权利要求2所述的催化剂，其中所述一种或多种元素为氢氧化物的形式。

5.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线包括Mg、Ca、La、W、Mn、Mo、Nd、Sm、Eu、Pr、Zr或它们的组合。

6.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线包括MgO、CaO、La₂O₃、Na₂WO₄、Mn₂O₃、Mn₃O₄、Nd₂O₃、Sm₂O₃、Eu₂O₃、Pr₂O₃、Mg₆MnO₈、NaMnO₄、Na/Mn/W/O、MnWO₄或它们的组合。

7.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线进一步包括一种或多种掺杂物，所述掺杂物包括金属元素、半金属元素、非金属元素或它们的组合。

8.如权利要求7所述的催化剂，其中所述掺杂物包括Li、Na、K、Mg、Ca、Ba、Sr、Eu、Sm、Co或Mn。

9.如权利要求8所述的催化剂，其中所述纳米线包括Li/MgO、Ba/MgO、Sr/La₂O₃、Mg/Na/La₂O₃、Sr/Nd2O3或Mn/Na₂WO₄。

10.如权利要求7所述的催化剂，其中第1族至第7族元素、镧系元素或锕系元素中的所述一种或多种元素与所述掺杂物的原子比例为1:1至10,000:1。

11.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线包括两种或多种包括所述一种或多种元素的化合物的组合。

12.如权利要求11所述的催化剂，其中所述纳米线包括Mn₂O₃/Na₂WO₄、Mn₃O₄/Na₂WO₄、MnWO₄/Na₂WO₄/Mn₂O₃、MnWO₄/Na₂WO₄/Mn₃O₄或NaMnO₄/MgO。

13.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线包括实心核。

14.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线包括空心核。

15.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中在5keV下通过TEM在明场模式下测定，所述纳米线的直径为7nm至200nm。

16.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中在5keV下通过TEM在明场模式下测定，所述纳米线的实际长度为100nm至10μm。

17.前述权利要求中任一权利要求所述的催化剂，其中所述纳米线的有效长度与实际长度之比小于0.8。