[发明专利]具有阈值电压设定掺杂剂结构的先进晶体管

权利要求书

1.一种场效应晶体管结构，包括：

阱，掺杂为具有第一掺杂剂浓度；

屏蔽层，与所述阱接触，并且具有大于5×10¹⁸个掺杂剂原子/cm³的第二掺杂剂浓度；以及

均厚层，包括外延生长在所述屏蔽层上的不同掺杂的沟道层和阈值电压设定层，其中所述阈值电压设定层至少部分地通过设置阈值电压偏移平面形成，且所述阈值电压偏移平面定位在屏蔽区域上方且与所述屏蔽区域分离。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：通过德尔塔掺杂来沉积所述电压阈值偏移平面。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：所述电压阈值偏移平面定位在距所述屏蔽区域约3纳米至约10纳米之间。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，还包括多个阈值电压偏移平面。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管结构，其中：所述沟道层邻近于栅极电介质掺杂为具有小于约5×10¹⁷个掺杂剂原子/cm³的密度。

6.一种用于形成场效应晶体管结构的方法，包括：

形成掺杂为具有第一掺杂剂浓度的阱；

将屏蔽区域注入到所述阱中，所述屏蔽区域的掺杂剂浓度大于5×10¹⁸个掺杂剂原子/cm³；

在所述屏蔽区域的顶部上生长外延均厚层；

在所述外延均厚层中形成至少一个阈值电压偏移平面；以及

在所述外延均厚层中形成沟道层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：所述沟道层掺杂为具有小于约5×10¹⁷个掺杂剂原子/cm³的密度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中：使用德尔塔掺杂来执行形成至少一个阈值电压偏移平面。

9.根据权利要求6所述的方法，其中：形成至少一个阈值电压偏移平面的步骤还包括：通过分子束外延、有机金属分解、原子层沉积、物理气相沉积和/或化学气相沉积中的至少一个所进行的德尔塔掺杂。

10.根据权利要求6所述的场效应晶体管结构，其中：所述电压阈值偏移平面定位在距所述屏蔽区域约3纳米至约10纳米之间。