[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201180036016.2 | 申请日: | 2011-07-21 |
公开(公告)号: | CN103155113A | 公开(公告)日: | 2013-06-12 |
发明(设计)人: | 清濑浩巳;平木哲;渡部博 | 申请(专利权)人: | 仓敷纺织株式会社;株式会社化学工艺技术 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/308 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 杨晶;王琦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种基板处理装置,对将药液与稀释液混合而成的处理液进行加热,将基板浸渍在该处理液中进行处理,其特征在于,在该基板处理装置中包括:
处理槽,贮留处理液;
加热单元,加热处理液;
温度检测单元,检测处理液的温度;
温度控制单元,操作所述加热单元以使该温度检测单元检测出的温度接近设定温度;
补充单元,将稀释液补充到处理液中;
浓度检测单元,通过测量处理液的吸光特性来检测处理液的浓度;以及
浓度控制单元,操作所述补充单元以使该浓度检测单元检测出的浓度接近设定浓度。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,
所述浓度检测单元通过测量多个波长下的吸光特性,来检测去除了由处理液的温度引起的误差变动后的浓度。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置,
所述浓度检测单元的测量部设置在与所述处理槽连接的循环配管或从该循环配管分支出的分支配管的透光部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置,
所述浓度检测单元通过测量多个波长下的吸光特性,来检测去除了由设置有所述测量部的透光部的性状引起的误差变动后的浓度。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的基板处理装置,
所述处理液是含有作为药液的磷酸与作为稀释液的水的磷酸溶液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造