[发明专利]高速、宽光学带宽和高效谐振腔增强的光电检测器

权利要求书

1.一种光电检测器，包括：

第一掺杂类型的第一二极管区，用以接收光；

第二掺杂类型的第二二极管区，具有第二厚度；

活性区，用于将接收的光转换为电子信号，所述活性区具有第三厚度，并被配置为位于所述第一二极管区与所述第二二极管区之间；以及

反射器，耦合到所述第二二极管区，且具有第四厚度的硅层，所述硅层位于第五厚度的氧化硅层之间，其中，所述活性区的第三厚度被配置为吸收波长小于900nm的光，并且其中，所述反射器的第四和第五厚度被配置为反射波长范围为1260nm到1380nm的光。

2.根据权利要求1所述的光电检测器，进一步包括：

第六厚度的钝化层，围绕一部分所述活性区和所述第一二极管区；以及

界面层，具有第一厚度的抗反射涂层（ARC），并耦合到所述钝化层，其中，一部分所述钝化层具有第一掺杂类型，并耦合到所述界面层。

3.根据权利要求2所述的光电检测器，其中，所述钝化层包括硅。

4.根据权利要求2所述的光电检测器，其中：

所述第一厚度的范围为从500nm到521nm，并且

所述第六厚度的范围为从184nm到192nm。

5.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述第五厚度是由氧化硅（SiO₂）的折射率归一化的光的波长的四分之一的奇数倍。

6.根据权利要求1所述的光电检测器，其中：

所述第二厚度的范围为从529nm到551nm，

所述第三厚度的范围为从1078nm到1122nm，

所述第四厚度的范围为从276nm到288nm，并且

所述第五厚度的范围为从223nm到233nm。

7.根据权利要求1所述的光电检测器，进一步包括耦合到所述第一二极管区和所述第二二极管区的电触点，所述电触点用于提供由所接收的光产生的所述电子信号。

8.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述第一二极管区包括锗，其中，所述第二二极管区包括硅，并且其中，所述第一和第二掺杂类型极性相反，一个是N-掺杂类型掺杂，另一个是P-掺杂类型掺杂。

9.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述反射器是双绝缘体上硅（DSOI）反射器。

10.根据权利要求1所述的光电检测器，其中，所述反射器是分布式布拉格反射器（DBR）。

11.一种系统，包括：

发射机，用以通过光学波导发送光学信号；以及

接收机，用以接收所述光学信号，并具有光电检测器，该光电检测器包括：

第一掺杂类型的第一二极管区；

第二掺杂类型的第二二极管区，具有第二厚度；

活性区，用于将所接收的光学信号转换为电子信号，所述活性区具有第三厚度，并被配置为位于所述第一二极管区与所述第二二极管区之间；以及

反射器，耦合到所述第二二极管区，具有第四厚度的硅层，所述硅层位于第五厚度的氧化硅层之间，其中，所述活性区的第三厚度被配置为吸收波长小于900nm的光，并且其中，所述反射器的第四和第五厚度被配置为反射波长范围为1260nm到1380nm的光。

12.根据权利要求11所述的系统，进一步包括：

第六厚度的钝化层，围绕一部分所述活性区和所述第一二极管区；以及

界面层，具有第一厚度的抗反射涂层（ARC），并耦合到所述钝化层，其中，一部分所述钝化层具有第一掺杂类型，并耦合到所述界面层。

13.根据权利要求12所述的系统，其中，所述钝化层包括硅。

14.根据权利要求12所述的系统，其中：

所述第一厚度的范围为从500nm到521nm，并且

所述第六厚度的范围为从184nm到192nm。

15.根据权利要求11所述的系统，其中，所述第五厚度是由氧化硅（SiO₂）的折射率归一化的光的波长的四分之一的奇数倍。