[发明专利]用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法和设备

权利要求书

1.一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的方法，用以制备在CVD反应器中得到后续处理的硅棒，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

将硅棒安置在点燃装置中；

通过第一电源单元将第一电压施加到所述硅棒，其中所述电压足以点燃所述硅棒；

通过所述第一电源使所述硅棒导通电流，从而将所述硅棒加热至预定温度范围内的温度；以及

从所述点燃装置中移除所述硅棒。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅棒周围的气体氛围形成于所述点燃装置中，其中所述气体氛围的组成使得所述气体与所述硅棒在点燃和加热过程中不发生反应。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述气体氛围大体上由N₂、H₂、惰性气体或这些气体中的两种或两种以上气体的混合物组成。

4.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述硅棒被加热至400℃到700℃范围内的温度，并且优选为加热至450℃到600℃范围内的温度。

5.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述硅棒至少有一部分是由加热装置来加热，所述加热装置与所述硅棒间隔开。

6.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，所述第一电压处于8千伏到15千伏的范围内。

7.根据前述权利要求中任一权利要求所述的方法，其特征在于，多根硅棒安置在所述点燃装置中，并且其中所述多根硅棒同时或顺次连接到所述第一电压，以点燃所述硅棒并可选地加热所述硅棒。

8.一种用于在硅棒上沉积硅的方法，其特征在于，所述方法包括根据权利要求1到7中任一权利要求所述的方法，随后所述用于在硅棒上沉积硅的方法具有以下步骤：

将多根之前经历过点燃且可选地得到加热的硅棒安置在CVD反应器中；

通过第二电源单元，将第二电压施加给所述硅棒中的每一者，从而点燃所述CVD反应器内部的所述硅棒；

将第三电压施加给所述硅棒中的每一者，从而将所述硅棒加热至另一个预定温度范围内的温度，其中所述第二电压低于所述第一电压；以及

在所述CVD反应器内部形成气体氛围，所述气体氛围使得硅在所述预定温度范围内沉积到所述硅棒上。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第三电压低于所述第二电压。

10.一种用于在CVD反应器外部点燃硅棒的设备，用以制备在CVD反应器中得到后续处理的所述硅棒，所述装置包括：

套管，其包括用于容纳至少一根硅棒的腔室；

至少一对接触电极，其安置在所述腔室中，以固持所述接触电极之间的至少一根硅棒；以及

第一电源单元，其具有至少一个变压器，其中所述变压器的输出端中的每一者各自连接到一对接触电极中的一个接触电极，其中所述变压器包括开路电压，所述开路电压足够高，足以预置所述硅棒中的电流。

11.根据权利要求10所述的设备，其包括用于设定所述腔室内部的预定气体氛围的构件。

12.根据权利要求10或11所述的设备，其特征在于，所述变压器包括开路电压，所述开路电压处于8千伏到15千伏的范围内。

13.根据权利要求10到12中任一权利要求所述的设备，其包括至少一个加热装置，所述加热装置布置成，所述加热装置能够借助于辐射能量来加热所述腔室中的硅棒。

14.根据权利要求13所述的设备，其特征在于，所述加热装置包括红外辐射器。

15.根据权利要求10到14中任一权利要求所述的设备，其特征在于，多对接触电极设置在所述腔室中。

16.一种用于在硅棒上沉积硅的设备，所述设备包括根据权利要求10到15中任一权利要求所述的装置以及CVD反应器，所述CVD反应器包括：

多个接触电极，其用于固持多根硅棒；

至少一个第二电源单元，其具有变压器，所述变压器包括开路电压，所述开路电压足以将经历过预点燃的硅棒点燃；

可选地，至少一个第三电源，其用于引导电流通过所述硅棒，所述电流高于所述第二电源单元的所述变压器的短路电流；以及

用于在所述CVD反应器内部形成气体氛围的构件，所述气体氛围使得硅在预定温度范围内的温度下沉积到所述硅棒上。