[发明专利]优化硅膜厚度均匀性的模具形状

权利要求书

1.一种形成半导体材料的固体层的方法，其包括：

确定固体层的目标厚度；

选择具有一定前缘厚度、后缘厚度以及分隔前缘和后缘的长度的模具，使得在将前缘和后缘分别浸入熔融半导体材料的第一和第二浸入时间内，在固体层厚度-有效浸入时间的各曲线图中，与前缘和后缘相邻的固体层厚度基本等于目标厚度；和

将模具浸入熔融半导体材料中并取出，在模具外表面上形成半导体材料的固体层，其中将模具前缘浸入第一浸入时间，将模具后缘浸入第二浸入时间。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前缘厚度大于所述后缘厚度。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前缘厚度小于所述后缘厚度。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具的厚度从前缘到后缘单调减小。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具的厚度从前缘到后缘连续变化。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将模具沿其整体长度的至少90%浸入和取出。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将模具以基本恒定的速度浸入和取出。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具包含熔凝氧化硅、石墨、氮化硅、单晶硅或多晶硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述前缘厚度和所述后缘厚度独立地从约0.1毫米变化到100毫米。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述模具的初始温度范围约为-50℃至1400℃。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸入速度约为0.5-50厘米/秒。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述取出速度约为0.5-50厘米/秒。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述浸入速度基本等于取出速度。

14.一种按照如权利要求1所述的方法制造的半导体材料的固体层。

15.如权利要求14所述的固体层，其特征在于，所述固体层的总厚度变化小于30%。

16.一种形成半导体材料的固体层的方法，其包括：

将模具浸入熔融半导体材料中并取出，该模具在前缘处具有第一厚度和第一宽度，在后缘处具有第二厚度和第二宽度，在该模具的外表面上形成半导体材料的固体层，其中第一厚度与第二厚度至少相差1%和/或第一宽度与第二宽度至少相差1%。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一厚度至少比所述第二厚度大1%和/或所述第一宽度至少比所述第二宽度大1%。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一厚度至少比所述第二厚度大5%和/或所述第一宽度至少比所述第二宽度大5%。

19.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一厚度至少比所述第二厚度小1%和/或所述第一宽度至少比所述第二宽度小1%。

20.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第一厚度至少比所述第二厚度小5%和/或所述第一宽度至少比所述第二宽度小5%。