[发明专利]从衬底表面去除污染物与原生氧化物的方法

权利要求书

1.一种清洁衬底表面的方法，所述方法包括以下步骤：

放置衬底于腔室中，所述衬底具有氧化层于所述衬底上，所述氧化层具有第一厚度；

通过暴露所述衬底至氧化源而增加所述氧化层的厚度至第二厚度；

从所述衬底去除所述氧化层；以及

在去除所述氧化层后，在所述衬底上沉积材料层。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述氧化源选自氧、臭氧及蒸气所组成的组。

3.如权利要求2所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在去除所述氧化层前，放置所述衬底于第二腔室中。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述材料层为外延层，所述衬底包括单晶硅，且所述氧化层包括二氧化硅。

5.如权利要求4所述的方法，其中去除所述氧化层的步骤还包括以下步骤：

从所述衬底的表面去除污染物，并且其中所述氧化层使用热工艺、干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺而去除。

6.如权利要求5所述的方法，其中所述第二厚度为约25埃或更厚。

7.如权利要求1所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的步骤发生在衬底温度低于约1100摄氏度时。

8.如权利要求7所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的步骤发生在衬底温度从约625摄氏度至约900摄氏度的范围内时。

9.如权利要求7所述的方法，其中增加所述氧化层的厚度的步骤发生在衬底温度约25摄氏度时。

10.一种清洁衬底表面的方法，所述方法包括以下步骤：

放置衬底于第一腔室中，所述衬底具有氧化层于所述衬底上，所述衬底具有在所述衬底和所述氧化层之间的界面处的污染物；

通过暴露所述衬底至氧化源以氧化所述衬底的上部并延伸所述氧化层至所述污染物下的一深度而增加所述氧化层的厚度；以及

从所述衬底去除所述氧化层和所述污染物。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述衬底包括单晶硅，且所述氧化层包括二氧化硅。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述氧化层是使用热工艺、干蚀刻工艺或湿蚀刻工艺而去除，并且其中所述氧化源包括氧、臭氧或蒸气。

13.如权利要求10所述的方法，所述方法还包括以下步骤：

在去除所述氧化层后，在所述衬底上沉积硅锗外延层。

14.一种清洁衬底表面的方法，所述方法包括以下步骤：

放置衬底于第一腔室中，所述衬底包括单晶硅，所述单晶硅具有原生氧化层于所述衬底上，所述原生氧化层具有第一厚度；

通过暴露所述衬底至氧化源而增加所述原生氧化层的厚度，所述氧化源选自氧、臭氧及蒸气所组成的组；

放置所述衬底于第二腔室中；

在热工艺期间从所述衬底去除所述氧化层；以及

在所述衬底上形成外延层。

15.如权利要求14所述的方法，其中去除所述氧化层的步骤还包括以下步骤：

从所述衬底的表面去除污染物。