[发明专利]发光模块

权利要求书

1.一种发光模块，其特征在于，包括：

半导体发光元件，

板状的光波长变换构件，以与所述半导体发光元件的发光面对置的方式设置，变换所述半导体发光元件发出的光的波长，以及

滤波层，形成在所述板状的光波长变换构件的表面中的、与所述半导体发光元件对置的面和侧面的至少任一个表面上，使从所述半导体发光元件射出的光透射，并且反射由光波长变换构件进行波长变换后的光；

所述半导体发光元件被构成使得自正面方向±60度范围内的射出光的能量相对于射出光的总能量的比例为80%以上。

2.根据权利要求1所述的发光模块，其特征在于，

所述滤波层被形成在所述光波长变换构件的表面中的、与所述半导体发光元件对置的面上；

本发光模块还包括粘接所述滤波层和所述半导体发光元件的粘接层；

所述粘接层含有折射率为1.3以上的材料。

3.根据权利要求2所述的发光模块，其特征在于，

所述粘接层的厚度为0.1μm~100μm。

4.根据权利要求1~3中任一项所述的发光模块，其特征在于，

所述滤波层被构成使得所述半导体发光元件发出的光以入射角60度向该滤波层入射时的透射率为80%以上。

5.根据权利要求1~4中任一项所述的发光模块，其特征在于，

所述光波长变换构件的、未形成所述滤波层的面的至少一部分具有凹凸形状。

6.根据权利要求5所述的发光模块，其特征在于，

所述凹凸形状由多个沟槽构成；

所述沟槽的宽度为1μm~1000μm，深度为1μm~1000μm。

7.根据权利要求1~4中任一项所述的发光模块，其特征在于，

所述光波长变换构件的、未形成所述滤波层的面的至少一部分的算术平均粗糙度Ra为100nm~1000nm。

8.根据权利要求1~7中任一项所述的发光模块，其特征在于，

当将发光模块中包含的所述半导体发光元件的个数记为N，将与各所述半导体发光元件的滤波层对置侧的射出面的面积记为S，将与所述光波长变换构件的半导体发光元件对置侧的入射面的面积记为T时，满足S≤T/N≤4×S。

9.根据权利要求1~8中任一项所述的发光模块，其特征在于，

所述光波长变换构件的厚度为1μm~1000μm。

10.根据权利要求1~9中任一项所述的发光模块，其特征在于，

将光以入射角0度入射到所述滤波层时的透射率为50%的光的波长记为λ1（nm），将所述半导体发光元件发出的光的峰值波长记为λp（nm）时，

所述滤波层被构成使得满足λp≤λ1≤λp+200（nm）。