[发明专利]用于加热基板的加热装置和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板（2）的真空处理系统，其具有用于承载将在基板平面（4）中处理的基板（2）的壳体（1），所述壳体（1）包括第一反射装置（6）和加热装置（5），所述加热装置（5）具有第一平面（10）和相对的第二平面（11），所述加热装置（5）被构造为仅通过所述第一平面（10）和/或所述第二平面（11）来辐射热能，所述第一反射装置（6）被构造为将由所述加热装置（5）辐射的热能反射到所述基板平面（4）上，并且所述加热装置（5）被设置成：使得所述第一平面（10）面对所述第一反射装置（6），并使得所述第二平面（11）面对所述基板平面（4）。

2.根据前述权利要求所述的真空处理系统，所述壳体（1）包括第二反射装置（7），所述第二反射装置（7）被构造为将由所述加热装置（5）辐射的热能反射到所述基板（2）上，并设置所述第二反射装置（7），使得所述加热装置（5）的所述第二平面（11）面对所述第二反射装置（7），还使得所述基板平面（4）设置在所述加热装置（5）和所述第二反射装置（7）之间。

3.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述壳体（1）包括用于冷却所述反射装置（6，7）的冷却单元（8），所述反射装置（6，7）包括第一侧面（12）和相对的第二侧面（13），所述第一侧面（12）面对所述加热装置（5），所述第二侧面（13）背对所述加热装置（5），所述冷却单元（8）设置在所述反射装置（6，7）的第二侧面（13）上并与所述反射装置（6，7）热接触。

4.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述加热装置（5）的第二平面设置成与所述基板平面（4）的距离小于等于50mm，优选地小于等于40mm，更优选地小于等于10mm。

5.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述加热装置（5）具有二维平面尺寸，其表面积大于等于在所述壳体（1）内可承载的所述基板（2）的表面积的5％，所述加热装置（5）包括选自由碳复合材料、碳增强的碳材料、碳纤维、碳化硅涂层纤维、石墨、石墨纤维和/或碳化硅组成的组的材料，并且/或者所述加热装置（5）包括能不受改变地耐受大于等于600℃温度的耐火材料。

6.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述壳体（1）包括用于支撑所述加热装置（5）和/或用于向所述加热装置（5）提供电能的主栅线电极（9）。

7.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述壳体（1）包括用于承载将在所述基板平面（4）内处理的所述基板（2）的基板载台（3）。

8.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述加热装置（5）包括多个矩形加热元件（14），其中每一个所述加热元件（14）具有长度（c）、宽度（a）和厚度（b），并且所述加热元件（14）串联和/或并联地电连接，在平行于分别形成了所述加热装置（5）的第一平面（10）和第二平面（11）的所述基板平面（4）的平面中沿着所述加热元件（14）的宽度（a）和长度（c）设置所述加热元件（14），每一个所述加热元件（14）的宽度（a）大于等于相应加热元件（14）的厚度（b）的500倍，长度（c）大于等于相应加热元件（14）的厚度（b）的3000倍，并且/或者，所述加热元件（14）被设置成彼此相邻，且间距距离（d）大于等于相应加热元件（14）的厚度的2倍，优选地彼此之间的距离（d）大于等于4mm。

9.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述矩形加热元件（14）的厚度（b）小于等于0.5mm，优选地小于等于0.15mm。

10.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述反射装置（6，7）包括选自由铜、铜涂层、镍、镍涂层、金、金涂层、银、银涂层、铝和/或铝涂层组成的组的材料，并且/或者，所述反射装置（6，7）包括具有小于等于N9的表面粗糙度的反射表面。

11.根据前述任意一项权利要求所述的真空处理系统，所述壳体（1）是包括密封开口的装载-闭锁装置，以便在所述真空处理系统内提供真空时，无需破坏所述真空即可出入所述壳体（1）。