[发明专利]发射辐射的半导体芯片和用于制造发射辐射的半导体芯片的方法

权利要求书

1.发射辐射的半导体芯片（1），其具有载体（5）和布置在载体上的具有半导体层序列的半导体本体（2），所述半导体层序列包括被设置用于产生辐射的活性区域（23）、n导通区域（21）和布置在n导通区域的背向活性区域（23）一侧上的覆盖层（24），其中在覆盖层（24）上布置用于在外部电接触n导通区域（21）的接触结构，并且覆盖层（24）具有至少一个空隙（3），接触结构（4）通过所述空隙延伸至n导通区域（21）。

2.根据权利要求1的发射辐射的半导体芯片，其中覆盖层在竖直方向上限值半导体本体并且在朝向n导通区域的一侧上与n导通区域晶格匹配。

3.根据权利要求1或2的发射辐射的半导体芯片，

其中覆盖层未被掺杂或者具有最高1*10¹⁷cm^-3的掺杂浓度。

4.根据权利要求1至3之一的发射辐射的半导体芯片，

其中载体布置在活性区域的背向n导通区域的一侧上并且材料配合地与半导体本体连接。

5.根据权利要求1至4之一的发射辐射的半导体芯片，

其中至少一个空隙的侧面（30）配备有涂层（35）。

6.根据权利要求5的发射辐射的半导体芯片，

其中涂层包含介电材料。

7.根据权利要求1至6之一的发射辐射的半导体芯片，

其中接触结构具有用于线接合连接的接触面（40）。

8.根据权利要求7的发射辐射的半导体芯片，

其中至少一个空隙在半导体芯片的俯视图中至少局部地沿着接触面的边缘（46）走向。

9.根据权利要求1至8之一的发射辐射的半导体芯片，

其中覆盖层具有多个空隙，在这些空隙中接触结构分别与n导通区域邻接。

10.根据权利要求7和9的发射辐射的半导体芯片，

其中空隙中的至少两个在半导体芯片的俯视图中与接触面重叠。

11.根据权利要求10的发射辐射的半导体芯片，

其中接触面具有遵循空隙的、具有突起（44）和/或凹处的图案。

12.根据权利要求1至11之一的发射辐射的半导体芯片，

其中覆盖层具有结构化部（8）并且至少在其中构造接触结构的区域中未被结构化。

13.用于制造多个半导体芯片（1）的方法，具有以下步骤：

a）在衬底（20）上提供半导体层序列（200），该半导体层序列具有覆盖层（24）、被设置用于产生辐射的活性区域（23）和n导通区域（21）；

b）将半导体层序列（200）固定在载体（5）处；

c）去除衬底（20）；

d）在覆盖层（24）中构造空隙（3）；

e）在覆盖层（24）上构造接触结构（4），其中接触结构（4）延伸到空隙（3）中；

f）将具有载体（5）的半导体层序列（200）分开成多个半导体芯片（1），使得每个半导体芯片（1）具有空隙（3）中的至少一个。

14.根据权利要求13的方法，

其中接触结构借助于电镀方法被沉积。

15.根据权利要求13或14的方法，

其中制造根据权利要求1至12之一的半导体芯片。