[发明专利]电接点材料

说明书

技术领域

本发明涉及用于电磁开关、断路器、继电器等电磁开闭器中的电接点材料。

背景技术

对于现有的银－氧化物类的电接点材料，为了提高耐熔敷性、耐消耗性、温度特性，通过改变内部氧化条件和添加第3元素、第4元素，每次都克服了性能方面的问题。例如，有在Ag中添加Sn、In、Sb、Bi等然后进行内部氧化处理的材料（例如，参照专利文献1）。

另外，提出了以下的材料：按照mass（质量）%含有Sn：4～11%；In：1～5%；Te：0.05～3%；Cd：0.05～3%，根据需要还含有Fe、Ni、Co中的一种以上：0.01～1%，其余的是对具有含Ag和不可避免的杂质的组成的Ag合金进行内部氧化处理后的成分。

专利文献

专利文献1：日本特开2002－363665公报

专利文献2：日本特开平5－86426号公报

发明内容

发明所要解决的课题

但是，在上述现有的技术中，银－氧化物类的电接点材料存在以下的课题：由于反复进行电开闭，氧化物在接点表层堆积，因该原因提高接点表面的接触电阻，引起温度升高。

为了解决该温度升高的问题，有减少所添加的氧化物的量的方法，如果减少所添加的氧化物的量，则存在使耐熔敷性、耐消耗性下降这样的问题。

得到稳定的接触电阻，而且实现良好的温度特性与实现提高耐熔敷性、耐消耗性相反，在选择接点材料时经常出现问题。

本发明的课题在于解决上述的问题。

用于解决课题的手段

因此，本发明通过在银－氧化物类的电接点材料的接点面上，对1～99mass%Ag－W、1～99mass%Ag－WC、WC和W的一种以上实施厚度为0.1μm～1000μm的镀层，由此，降低接点的电阻值，消除温度异常升高，而且，实现耐熔敷性、耐消耗性大幅提高，在用于高负荷的电接点材料的情况下也能延长使用寿命。

例如，在图18中表示，在91.7Ag－5.5SnO₂－2.5In₂O₃－0.3NiO的接点材料上将W形成镀层的接点的组成图片。

而且，在电接点材料与1～99mass%Ag－W、1～99mass%Ag－WC、WC或者W的镀层之间，实施Pt、Au、Ag、Ni、Cu的至少一种的镀层，由此，能够降低接点的电阻值，有效地防止温度异常升高，而且，实现耐熔敷性、耐消耗性大幅提高，在用于高负荷的电接点材料的情况下也能延长使用寿命。

此外，镀层方法采用以下方法：利用等离子体喷镀、气体喷镀、高速框架喷镀等喷镀的镀层；利用图1和图2所示的气中或液中的断续的放电、脉冲等放电的镀层；以及PVD、CVD等的蒸镀法。

在上述中，将镀层的一层的厚度形成在0.1μm～1000μm的范围的理由是，如果一层的厚度不足0.1μm，则没有镀层的效果。另外，如果一层的厚度超过1000μm，则在技术以及生产成本方面，不易于进行镀层。

另外，在1～99mass%Ag－W、1～99mass%Ag－WC中，如果Ag成分不足1mass%和超过99mass%，则Ag合金就没有意义。

发明效果

像这样，本发明通过对银－氧化物类的电接点材料进行上述结构的镀层，由此降低接点的电阻值，耐熔敷性、耐消耗性提高，使用寿命延长。

另外，在电接点材料与镀层之间实施Pt、Au、Ag、Ni、Cu的至少一种的镀层，由此，能够进一步降低接点的电阻值，防止温度异常升高，耐熔敷性、耐消耗性大幅提高，即使在用于高负荷的电接点材料的情况下也能延长使用寿命。

附图说明

图1是利用气中放电进行镀层的概略说明图。

图2是利用液中放电进行镀层的概略说明图。

图3是1层镀层的概略说明图。

图4是部分镀层的概略说明图。

图5是实施例9的概略说明图。

图6是实施例10的概略说明图。

图7是实施例11的概略说明图。

图8是实施例12的概略说明图。

图9是实施例13的概略说明图。

图10是实施例14的概略说明图。

图11是实施例15的概略说明图。

图12是实施例16的概略说明图。

图13是实施例17的概略说明图。

图14是实施例18的概略说明图。

图15是实施例19的概略说明图。

图16是实施例20的概略说明图。