[发明专利]静电吸盘

说明书

技术领域

本发明方式涉及一种通常的静电吸盘。

背景技术

在进行蚀刻、CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)、溅射、离子注入、灰化、曝光、检查等的基板处理装置中，作为吸附保持被吸附物（半导体晶片、玻璃基板等）的单元使用静电吸盘。

在此，当静电吸盘的载置面和被吸附物互相摩擦时有可能会产生颗粒。而且，当静电吸盘的载置面和被吸附物的接触面积变大时被吸附物的吸附脱离响应性有可能会变差。

因此，公知有如下技术，通过在静电吸盘的载置面侧设置突起部而减小接触面积，从而实现抑制颗粒污染并提高被吸附物的吸附脱离响应性。

而且，提出有如下技术，在静电吸盘的载置面侧设置突起部的同时，对突起部的顶面进行抛光，从而在顶面上形成表面粗糙度Ra为0.25S以下的平坦面（参照专利文献1）。

该专利文献1所公开的技术通过对突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部（凹部的底面）进行镜面研磨，从而即使在被吸附物的背面与这些部分接触时也能抑制产生颗粒（参照专利文献1的[0008]、[0029]、[0035]等）。

但是，如果使突起部的顶面为平坦面，则由于平坦面的顶面与被吸附物的背面摩擦反而有可能使颗粒增加。尤其是近年存在如下倾向，即附着于被吸附物背面等的颗粒数的限制变得严格，使突起部的顶面为平坦面时，则有可能无法应对颗粒数的限制。

另外，如果使突起部的顶面为平坦面，则被吸附物的吸附脱离响应性也有可能变差。

而且，提出有如下技术，在静电吸盘的载置面侧设置突起部的同时，对突起部的顶面进行喷丸加工，从而在顶面上形成中心线平均粗糙度Ra为0.5μm以上的粗糙面区域（参照专利文献2的[0035]、[0043]）。

该粗糙面区域是为了提高被吸附物的面内温度的均匀性、提高被吸附物的吸附脱离响应性等而设置的。而且，由于粗糙面区域为不与被吸附物的背面接触的非接触面，因此可抑制粗糙面区域与被吸附物的背面摩擦（参照专利文献2的[0011]、[0014]）。

但是，在粗糙面区域的周围形成有中心线平均粗糙度Ra为0.5μm以下的平滑区域。即，与专利文献1所公开的技术的情况一样，有可能由于顶面的平滑区域与被吸附物的背面摩擦而使颗粒增加。尤其是近年存在如下倾向，即附着于被吸附物背面等的颗粒数的限制变得严格，有可能由于在突起部的顶面设置平滑区域而无法应对颗粒数的限制。

另外，如果在突起部的顶面上设置平滑区域，则被吸附物的吸附脱离响应性也有可能变差。

而且，利用喷砂法等形成突起部时，有时在突起部的表面区域、平面部的表面区域内产生裂纹等的缺陷部。这种缺陷部内在于表面区域内时，则表面区域的一部分有可能以缺陷部为基点而脱离从而产生颗粒。

这种内在于表面区域内的缺陷部无法用抛光法除去，利用磨具加工法、激光雕刻法、喷丸法等时还有可能进一步使缺陷部增加。

而且，没有考虑关于构成突起部的顶面、侧面以及突起部周围的平面部的材料的晶粒径，还有可能使颗粒增加。

而且，如果利用磨具加工法、激光雕刻法、喷丸法等形成专利文献2所公开的粗糙面区域，则形成又细又深的孔。被这种孔捕捉的微小的异物很难用清扫除去，有可能无法容易地使静电吸盘表面的清洁状态恢复。

另外，所捕捉的微小的异物有可能因静电吸盘动作时产生的电场而从粗糙面区域浮起，并附着在被吸附物的背面上。即，由于被粗糙面区域捕捉的微小的异物很难用清扫除去，因此残留的异物迟早有可能变成颗粒。

专利文献1：日本国特开2003-86664号公报

专利文献2：日本国特开2001-341043号公报

发明内容

本发明方式是基于上述课题的认识而进行的，提供一种静电吸盘，可抑制产生颗粒，同时容易使静电吸盘表面的清洁状态恢复。

第1发明是一种静电吸盘，是具备电介体基板的静电吸盘，该电介体基板具有：突起部，形成在载放被吸附物侧的主面上；及平面部，形成在所述突起部的周围，其特征在于，所述电介体基板由多晶陶瓷烧结体形成，所述突起部的顶面为曲面，在所述顶面上与露出在表面上的晶粒相对应地形成有第1凹部，所述平面部具有平坦部，在所述平坦部上形成有第2凹部，所述第1凹部的深度尺寸比所述第2凹部的深度尺寸大。

根据该静电吸盘，除去被第1凹部、第2凹部的内部捕捉的异物变得容易。即，即使在异物附着于静电吸盘表面的情况下，也能容易地使静电吸盘表面的清洁状态恢复。