[发明专利]制造纳米压印模具的方法、利用由此制造的纳米压印模具制造发光二极管的方法以及由此制造的发光二极管

权利要求书

1.一种制造纳米压印模具的方法，所述方法包括以下步骤：

在半导体基板上涂覆纳米结构；

利用所述纳米结构作为掩模通过干法刻蚀处理在所述半导体基板上形成半球形的纳米图案；

以纳米压印的方式将形成在所述半导体基板上的所述半球形的纳米图案转印到纳米压印模具上；

将上面转印了所述半球形的纳米图案的所述纳米压印模具与所述半导体基板分离开。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，对涂覆在所述半导体基板上的各个纳米结构的尺寸和干法刻蚀时间中的至少一个进行调整，以调整所述半球形的纳米图案的尺寸。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，涂覆在所述半导体基板上的各个纳米结构具有约100nm至约2000nm的尺寸。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，涂覆在所述半导体基板上的所述纳米结构具有彼此不同的尺寸。

5.一种制造发光二极管的方法，所述方法包括以下步骤：

在临时基板上形成n型氮化物半导体层、发光层和p型氮化物半导体层；

在所述p型氮化物半导体层上形成p型电极；

在所述p型电极上形成导电基板；

去除所述临时基板以露出所述n型氮化物半导体层；

在所述n型氮化物半导体层上形成纳米压印抗蚀剂层；

将通过权利要求1所述的方法制造的纳米压印模具按压在所述纳米压印抗蚀剂层上，以将形成在所述纳米压印模具上的所述半球形的纳米图案转印到所述纳米压印抗蚀剂层上；

将所述纳米压印模具与具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层分离开；以及

对具有所述半球形的纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层的一部分进行刻蚀以形成n型电极。

6.根据权利要求5所述的方法，所述方法还包括以下步骤：在所述n型氮化物半导体层和所述纳米压印抗蚀剂层之间形成折射率调整层，其中，所述折射率调整层的折射率小于所述n型氮化物半导体层的折射率并大于所述纳米压印抗蚀剂层的折射率。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，通过顺序地层叠第一折射率调整层和第二折射率调整层来形成所述折射率调整层，其中，所述第一折射率调整层和所述第二折射率调整层通过彼此不同的折射率来折射从所述发光层发出的光。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一折射率调整层形成在所述n型氮化物半导体层上，并具有小于所述n型氮化物半导体层的折射率的折射率；并且所述第二折射率调整层形成在所述第一折射率调整层上，并具有小于所述第一折射率调整层的折射率并大于所述纳米压印层的折射率的折射率。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一折射率调整层包括从由ZnO、掺Al的ZnO、掺In的ZnO、掺Ga的ZnO、ZrO₂、TiO₂、SiO₂、SiO、Al₂O₃、CuOX和ITO组成的组中选出的至少一个。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第二折射率调整层包括MgO基氧化物。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，形成所述第二折射率调整层的所述MgO基氧化物是通过在MgO中添加其它元素而形成的多元化合物。

12.根据权利要求5所述的方法，其中，通过在具有所述纳米图案的所述纳米压印抗蚀剂层被刻蚀以露出所述n型氮化物半导体层之后在经刻蚀的区域上沉积导电材料来形成所述n型电极。

13.一种通过权利要求5至12中任意一项所述的方法所制造的发光二极管。