[发明专利]磁传感器装置

权利要求书

1.一种磁传感器装置，其中，具备：

框体，具备作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝；

第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；

第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间在所述输送方向形成连续的梯度磁场；

磁阻效应元件，设置在所述被感测物与所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化；

多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件；

电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及

树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元，

所述磁阻效应元件设置在所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中，

所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。

2.一种磁传感器装置，其中，具备：

框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝；

第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；

第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场；

磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化；

多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件；

电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及

树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元，

所述磁阻效应元件设置在所述输送方向上的所述梯度磁场的磁场强度为零点附近的弱磁场强度区域中，

所述被感测物在与所述弱磁场强度区域相比磁场强度强的所述梯度磁场的磁场强度区域中通过。

3.一种磁传感器装置，其中，具备：

框体，形成有作为被感测物的插入口的第一狭缝、作为从所述第一狭缝插入的所述被感测物的输送路径的中空部、以及作为在所述中空部中输送的所述被感测物的排出口的第二狭缝；

第一磁铁，设置在所述中空部，沿着所述被感测物的输送方向彼此交替地配置磁极；

第二磁铁，在所述中空部中设置在隔着所述输送路径与所述第一磁铁相向的位置，沿着所述输送方向相向地配置与所述第一磁铁的磁极不同的磁极，由此在与所述第一磁铁之间形成在与所述第一磁铁的相向方向的磁场分量和所述输送方向的磁场分量中分别包含零点的梯度磁场；

磁阻效应元件，设置在所述被感测物和所述第一磁铁之间，具有输出端子，检测在所述梯度磁场内通过的所述被感测物的磁分量，由此电阻值发生变化；

多层基板，将来自所述磁阻效应元件的所述输出端子的电阻值变化从焊盘输出至外部，并且包围所述磁阻效应元件；

电连接单元，对所述多层基板的所述焊盘和所述磁阻效应元件的所述输出端子进行电连接；以及

树脂，覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元，

所述磁阻效应元件设置在如下区域中，即所述梯度磁场在所述输送方向的磁场分量为零点附近的强度，并且所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强度的区域，

所述被感测物通过所述梯度磁场在所述相向方向的磁场分量为强磁场强度的区域。

4.根据权利要求1至3的任一项所述的磁传感器装置，其中，以不从所述多层基板的表面突出的方式用所述树脂覆盖所述磁阻效应元件和所述电连接单元。