[发明专利]流体产品的分配设备的表面处理方法

权利要求书

1.流体产品分配设备的表面处理方法，其特征在于所述方法包括用多电荷且多能量的离子束通过离子植入对与所述流体产品接触的所述设备的至少一部分的至少一个待处理表面进行改性的步骤，改性的所述待处理表面具有对于所述流体产品的抗粘附性能，所述多电荷离子选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe），离子植入进行至0至3μm的深度。

2.根据权利要求1的方法，其中所述多能量离子用相同的提取电压同时植入。

3.根据以上权利要求任一项的方法，其中所述待处理表面是合成材料、弹性体、玻璃或金属材质的，所述合成材料尤其包含聚乙烯（PE）和/或聚丙烯（PP）和/或聚氯乙烯（PVC）和/或聚四氟乙烯（PTFE）。

4.根据以上权利要求任一项的方法，其中该方法还包含通过离子植入向所述待处理表面赋予至少一种附加性能的步骤，例如降低与流体产品的相互作用。

5.根据以上权利要求任一项的方法，其中所述方法在流体产品的分配设备的组装线上连续实施。

6.根据以上权利要求任一项的方法，其中所述方法包含用离子处理聚合物实心部件的至少一个表面，所述方法包含用多能量离子X⁺和X²⁺构成的离子束的离子轰击，其中X是选自氦（He）、氮（N）、氧（O）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe）的离子的原子符号，其中RX=X⁺/X²⁺小于或等于100，例如小于20，X⁺和X²⁺以原子百分比表示，其中在预先步骤中确定束的移动速度，在该步骤中确定不导致聚合物热降解的束的最小移动速度，所述热降解由压力提高10^-5mbar表明。

7.根据权利要求6的方法，其中离子X⁺和X²⁺通过电子回旋加速器共振离子源（RCE）同时产生。

8.根据权利要求6或7任一项的方法，其中比率RX大于或等于1。

9.根据权利要求6至8中任一项的方法，其中能够实现多能量离子X⁺和X²⁺植入的源的提取电压在10至400kV之间，例如大于或等于20kV和/或小于或等于100kV。

10.根据权利要求6至9中任一项的方法，其中多能量离子X⁺和X²⁺的剂量在5×10¹⁴至10¹⁸离子/cm²之间，例如大于或等于10¹⁵离子/cm²和/或小于或等于5×10¹⁷离子/cm²，甚至大于或等于5×10¹⁵离子/cm²和/或小于或等于10¹⁷离子/cm²。

11.根据权利要求6至10中任一项的方法，其中在预先步骤中确定实心聚合物部件表面的特征性能的演化随着多能量离子X⁺和X²⁺剂量的变化，例如做为待处理部件的代表的聚合物材料的表面电阻率ρ，以确定离子剂量的范围，在该范围内所选择的特征性能的变化的有利的，并且以不同的方式在形成所述离子剂量范围的三个相继的离子剂量区域中变化，在第一区域中的演化是基本上线性的，并且在小于一个月的期间是可逆的，在第二区域中的演化是基本上线性的，并且在超过一个月的期间是稳定的，最后在第三区域的演化是恒定的，并且在超过一个月的期间是稳定的，并且其中选择第三离子剂量区域中的多能量离子X⁺和X²⁺的剂量以处理实心聚合物部件。

12.根据权利要求6至11中任一项的方法，其中调整待处理的聚合物部件的表面的移动以及源的参数，使得待处理的聚合物部件表面的表面处理速度在0.5cm²/s至1000cm²/s之间，例如大于或等于1cm²/s和/或小于或等于100cm²/s。