[发明专利]深紫外发光二极管

权利要求书

1.一种发光异质结构，包括：

n型接触层；和

具有与n型接触层相邻的第一侧的光产生结构，该光产生结构包含量子阱组，其中，n型接触层的能量与量子阱组中的量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量，并且其中，光产生结构的宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当。

2.根据权利要求1的异质结构，其中，量子阱的电子基态能量大致以热能超过极性光学声子的能量。

3.根据权利要求1的异质结构，还包括阻挡层，其中，阻挡层的能量与量子阱组中的量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。

4.根据权利要求1的异质结构，其中，光产生结构还包含与量子阱组交错的势垒组，势垒组包含与量子阱组中的第一量子阱和光产生结构的第一侧紧挨着相邻的第一势垒，其中，第一势垒的厚度足以相对于第一量子阱中的电子基态能量将电场中的注入电子加速达到极性光学声子的能量，并且其中，光产生结构的剩余部分的厚度超过用于发射极性光学声子的平均自由程。

5.根据权利要求1的异质结构，还包括：

至少部分透明的衬底，其中，n型接触位于衬底与光产生结构之间并且至少部分地对于由光产生结构产生的光透明；和

作为n型接触在光产生结构的相对侧上形成的Bragg反射器结构，其中，Bragg反射器结构被配置为朝向衬底反射由光产生结构产生的光。

6.根据权利要求5的异质结构，还包括在光产生结构与Bragg反射器结构之间形成的电子阻挡层。

7.根据权利要求5的异质结构，其中，n型接触包含短周期超晶格。

8.根据权利要求1的异质结构，还包括复合接触，该复合接触包括：

粘接层，其中，粘接层至少部分地对于由光产生结构产生的光透明；和

被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。

9.根据权利要求8的异质结构，其中，粘接层包括镍薄层、钯薄层、钼薄层或钴薄层之一，并且其中，反射金属层包括铝、增强铝、铑或增强铑之一。

10.根据权利要求8的异质结构，其中，粘接层包括非均匀层。

11.根据权利要求10的异质结构，其中，非均匀粘接层被配置为形成光子晶体。

12.根据权利要求8的异质结构，还包括分布式半导体异质结构Bragg反射器（DBR）结构，其中，DBR结构作为复合接触位于光产生结构的相对侧上。

13.根据权利要求1的异质结构，还包括复合接触，其中，复合接触的至少一个层由石墨烯形成。

14.根据权利要求1的异质结构，还包括金属超晶格接触，其中，金属超晶格包含第一金属和与第一金属不同的第二金属的多个缠结层，并且其中，金属超晶格至少部分地对于由光产生结构产生的光透明。

15.一种发光异质结构，包括：

n型接触层；和

具有与n型接触层相邻的第一侧的光产生结构，该光产生结构包含量子阱组，其中，光产生结构的宽度与用于通过注入到光产生结构中的电子发射极性光学声子的平均自由程相当；和

位于光产生结构的与第一侧相对的第二侧上的阻挡层，其中，阻挡层的能量与量子阱组中的量子阱的电子基态能量之间的差值大于光产生结构的材料中的极性光学声子的能量。

16.根据权利要求15的异质结构，其中，光产生结构还包含与量子阱组交错的势垒组，势垒组包含与量子阱组中的第一量子阱和光产生结构的第一侧紧挨着相邻的第一势垒，其中，第一势垒的厚度足以相对于第一量子阱中的电子基态能量将电场中的注入电子加速达到极性光学声子的能量，并且其中，光产生结构的剩余部分的厚度超过用于发射极性光学声子的平均自由程。

17.根据权利要求15的异质结构，还包括复合接触，该复合接触包括：

粘接层，其中，粘接层至少部分地对于由光产生结构产生的光透明；和

被配置为反射由光产生结构产生的光的至少一部分的反射金属层。