[发明专利]基板处理方法和基板处理装置

权利要求书

1.一种用于将收纳于处理室内的基板表面的Si系膜去除 的基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法进行以下工序：

第1工序，其中，在上述处理室内，利用含有卤族元素的 气体和碱性气体来使基板表面的Si系膜变质为反应生成物；以 及

第2工序，其中，在与上述第1工序相比减压后的上述处 理室内使上述反应生成物气化，

上述第1工序和上述第2工序反复进行两次以上。

2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度为上述反应 生成物开始升华的温度以上。

3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度为90℃以 上。

4.根据权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度不发生变 化。

5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

通过去除基板表面的Si系膜来使基板表面上的没有变质为 反应生成物的膜突出。

6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其特征在于，

上述Si系膜是氧化硅膜，没有变质为上述反应生成物的膜 是硅膜。

7.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

该基板处理方法具有去除工序，该去除工序是交替地进行 上述第1工序和上述第2工序并且进行两次以上，

在上述处理室内多次反复进行上述去除工序，并且，在上 述去除工序和上述去除工序之间进行从上述处理室内排出上述 反应生成物的排气处理工序，

在上述排气处理工序中，交替地向上述处理室内供给非活 性气体的第3工序和对上述处理室内进行排气的第4工序并且 进行两次以上。

8.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述第3工序和上述第4工序中，上述处理室内处于能够 使上述反应生成物气化的压力。

9.根据权利要求7所述的基板处理方法，其特征在于，

在去除基板表面的Si系膜的基板处理的最后进行上述排气 处理工序。

10.一种用于将收纳于处理室内的基板表面的Si系膜去除 的基板处理装置，其特征在于，该基板处理装置包括：

气体供给机构，其用于向上述处理室内供给含有卤族元素 的气体和碱性气体；温度调节构件，其用于对收纳于上述处理 室内的基板进行温度调节；排气机构，其用于对上述处理室内 进行排气；以及控制部，其用于控制上述气体供给机构、温度 调节构件以及排气机构，

在上述控制部的控制下来进行以下工序：第1工序，其中， 在上述处理室内，利用含有卤族元素的气体和碱性气体来使基 板表面的Si系膜变质为反应生成物；以及第2工序，其中，在与 上述第1工序相比减压后的上述处理室内使上述反应生成物气 化，

反复进行两次以上的上述第1工序和上述第2工序。

11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度为上述反应 生成物开始升华的温度以上。

12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度为90℃以 上。

13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，

在上述第1工序和上述第2工序中，基板的温度不发生变 化。