[发明专利]表面处理荧光体及表面处理荧光体的制造方法

权利要求书

1.一种表面处理荧光体，其特征在于，具有含有碱土类金属及硅的荧光体母体、以及含有碱土类金属、硅及周期表第4～6族的特定元素的表面处理层，

在利用电子显微镜及附设于其中的能量分散型X射线元素分析测定表面处理层的截面厚度方向的元素分布的情况下，特定元素的含量的最大峰的位置比硅的含量的最大峰的位置更靠近表面侧，并且

所述荧光体母体及表面处理层中的硅的含量满足下述(1)式：

[数1]

S₁＜S₂   (1)

式(1)中，S₁表示荧光体母体中的硅的含量、S₂表示表面处理层中的硅的含量。

2.根据权利要求1所述的表面处理荧光体，其特征在于，

在表面处理层的截面厚度方向的元素分布中，在特定元素的最大峰位置处检测出硅。

3.根据权利要求1或2所述的表面处理荧光体，其特征在于，

表面处理层包括中间层和表面层，朝向最表面依次形成有中间层和表面层，各层中的碱土类金属的含量满足下述(2)及(3)式：

[数2]

C₂＜C₁   (2)

C₂＜C₃   (3)

式中，C₁表示荧光体母体中的碱土类金属的含量，C₂表示中间层中的碱土类金属的含量，此外，C₃表示表面层中的碱土类金属的含量。

4.根据权利要求3所述的表面处理荧光体，其特征在于，

C₂为C₁的2/3以下。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的表面处理荧光体，其特征在于，

表面处理层中所含的碱土类金属是来源于荧光体母体的碱土类金属。

6.根据权利要求1、2、3、4或5所述的表面处理荧光体，其特征在于，

荧光体母体包含含有碱土类金属的硅酸盐系荧光体。

7.根据权利要求6所述的表面处理荧光体，其特征在于，

荧光体母体包含以下述式(4)表示的硅酸盐系荧光体：

(Sr_1-xM_x)_ySiO₄:Eu²⁺   (4)

式中，M是选自Ba、Ca、Mg及Zn中的至少1种金属。

8.根据权利要求6所述的表面处理荧光体，其特征在于，

荧光体母体包含以下述式(5)表示的硅酸盐系荧光体：

(Sr_1-xM_x)_ySiO₄:Eu²⁺D   (5)

式中，M是选自Ba、Ca、Mg及Zn中的至少1种金属，D是选自F、Cl及Br中的卤素的阴离子。

9.根据权利要求1、2、3、4、5、6、7或8所述的表面处理荧光体，其特征在于，

在纯水300重量份中将荧光体1重量份浸渍10分钟时的、水的电导率为100mS/m以下。

10.一种含有荧光体的树脂组合物，其特征在于，

含有权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的表面处理荧光体、以及环氧树脂和/或有机硅树脂。

11.一种波长转换复合体，其特征在于，

将权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的表面处理荧光体分散于选自由聚乙酸乙烯酯、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸甲酯及聚碳酸酯及环状烯烃共聚物构成的一组中的至少1种树脂中而成。

12.一种波长转换片，其特征在于，

将权利要求11所述的波长转换树脂复合体制成薄片状而成。

13.一种光电转换装置，其特征在于，

将权利要求11所述的波长转换复合体、或权利要求12所述的波长转换片作为构成部件使用。

14.一种半导体发光元件，其特征在于，

使用权利要求1、2、3、4、5、6、7、8或9所述的表面处理荧光体制成。