[发明专利]具有原位表面钝化的离子注入选择发射极太阳能电池

权利要求书

1.一种选择发射极太阳能电池的制造方法，包括：

提供一个包括p-型基极层的基底；

通过离子注入将掺杂剂引入p-型基极层的前面的至少一个第一区；

通过离子注入将掺杂剂引入p-型基极层的前面的至少一个第二区，其中，第二区的掺杂度高于第一区的掺杂度，且引入第一区和第二区的掺杂剂具有n-型电导率；

对基底进行退火处理，其中，退火处理包括将基底在炉中加热至一个温度，以：

修复注入损伤；

激活第一区和第二区的掺杂剂；以及

驱使第一区和第二区的掺杂剂深入基底，在p-型基极层的前面形成选择发射层；以及

在退火步骤中将氧引入炉中，以至少在选择发射层的前面形成钝化氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：基底为单晶、柴氏硅基底。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述掺杂剂含有磷。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其特征在于：将掺杂剂至少引入第一区包括将掺杂剂均匀与地引入p-型基极层的前面的第一区和第二区，将掺杂剂至少引入第二区包括将额外掺杂剂通过遮罩至少引入p-型基极层的前面的第二区。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于：对基底进行退火处理不会在选择发射层的前面与p-型基极层的后面之间形成电分流路径，且对基底进行退火处理不会形成磷硅酸玻璃。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，进一步包括：在钝化氧化层的前面沉积非晶氮化硅层，形成减反射层。

7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括：在非晶氮化硅层上丝网印刷一个或多个与p-型基极层的前面的第二区对齐的前面触点。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在p-型基极层的后面丝网印刷一个或多个铝后面触点。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括：共烧一个或多个前面触点和后面触点，为太阳能电池提供电连接。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的方法，其特征在于：前面触点包括玻璃料，玻璃料允许一个或多个前面触点渗透非晶氮化硅层和钝化氧化层，为选择发射层提供电连接。

11.根据权利要求9或10所述的方法，其特征在于：共烧前面触点和后面触点进一步包括，在前面和后面触点共烧时，通过液相外延再生，在p-型基极层的后面和后面触点的界面形成铝掺杂p⁺硅层，其中，后面触点和铝掺杂p⁺硅层电连接。

12.根据权利要求1至11中任一项所述的方法，其特征在于：在一次注入步骤中将掺杂剂引入第一区和第二区。

13.一种太阳能电池，包括：

包括p-型基极层的硅基底；

通过离子注入在p-型基极层上形成的n-型发射层，其中，发射层为具有一个或多个第一掺杂区和一个或多个第二掺杂区的选择发射层，一个或多个第二掺杂区的掺杂度高于一个或多个第一区的掺杂度；

位于p-型基极层和发射层界面的p-n结；以及

形成于发射层的前面上的钝化氧化层，其中，p-n结和钝化氧化层在一次退火循环中形成。

14.根据权利要求13所述的太阳能电池，进一步包括，在钝化氧化层的前面上形成的减反射层。

15.根据权利要求14所述的太阳能电池，其特征在于：减反射层包括非晶氮化硅层。

16.根据权利要求14或15所述的太阳能电池，进一步包括，形成在减反射层的前面上并通过减反射层与发射层电连接的一个或多个丝网印刷前面触点，以及形成在p-型基极层的后面上的一个或多个丝网印刷后面触点。

17.根据权利要求16所述的太阳能电池，进一步包括，通过液相外延再生，在p-型基极层的后面与一个或多个后面触点的界面形成的铝掺杂p+硅层，其中，一个或多个后面触点与铝掺杂p+硅层电连接。

18.根据权利要求16或17所述的太阳能电池，其特征在于：一个或多个前面触点通过丝网印刷银浆料形成，一个或多个后面触点通过丝网印刷铝浆料形成。