[发明专利]硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、利用该粉末的CaAlSiN3磷光体、利用该粉末的Sr2Si5N8 磷光体、利用该粉末的(Sr, Ca)AlSiN3 磷光体、利用该粉末的La3Si6N11磷光体和该磷光体的制造方法

权利要求书

1.一种硅氮化物磷光体用结晶性氮化硅粉末，所述结晶性氮化硅粉末用作制造硅氮化物磷光体的原料，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，所述氮化硅粉末的氧含量为0.2重量%～0.9重量%。

2.如权利要求1所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其中，所述氮化硅粉末的平均粒径为1.0μm～12μm。

3.如权利要求1或2所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其中，所述氮化硅粉末的比表面积为0.2m²/g～4.0m²/g。

4.如权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其中，所述硅氮化物磷光体是CaAlSiN₃磷光体、Sr₂Si₅N₈磷光体、(Sr,Ca)AlSiN₃磷光体或La₃Si₆N₁₁磷光体。

5.一种利用权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造CaAlSiN₃磷光体的方法，所述方法包括：

混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为铝源的材料、作为钙源的材料和作为铕源的材料，从而具有通式(Eu_xCa_1-x)AlSiN₃；和

在1400℃～2000℃于0.05MPa～100MPa的氮气氛中煅烧该混合物。

6.一种利用权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的CaAlSiN₃磷光体，所述磷光体由通式(Eu_xCa_1-x)AlSiN₃表示，并通过在1400℃～2000℃于含氮惰性气氛中煅烧包含所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、Ca₃N₂粉末、AlN粉末和EuN粉末的混合物粉末获得。

7.一种利用权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造Sr₂Si₅N₈磷光体的方法，所述方法包括：

混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为锶源的材料和作为铕源的材料，从而具有通式(Eu_xSr_1-x)₂Si₅N₈；和

在1400℃～2000℃于0.05MPa～100MPa的氮气氛中煅烧该混合物。

8.一种利用权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末的Sr₂Si₅N₈磷光体，所述磷光体由通式(Eu_xSr_1-x)₂Si₅N₈表示，并通过在1400℃～2000℃于含氮惰性气氛中煅烧包含所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、氮化锶粉末和氮化铕粉末的混合物粉末获得。

9.一种利用权利要求1～3中任一项所述的硅氮化物磷光体用氮化硅粉末制造(Sr,Ca)AlSiN₃磷光体的方法，所述方法包括：

混合所述硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、作为锶源的材料、作为钙源的材料、作为铕源的材料和作为铝源的材料，从而具有通式(Eu_xSr_yCa_z)AlSiN₃，条件是x+y+z=1；和

在1400℃～2000℃于0.05MPa～100MPa的氮气氛中煅烧该混合物。