[发明专利]用于释放可印刷化合物半导体器件的材料和过程

权利要求书

1.一种制造可转印半导体器件的方法，所述方法包括：

在衬底上提供包括磷化铟铝的释放层；

在所述释放层上提供支撑层，所述支撑层和所述衬底包括各自的材料以使得所述释放层相对于所述支撑层和所述衬底具有蚀刻选择性；

在所述支撑层上提供至少一个器件层；以及

选择性蚀刻所述释放层，而基本上不蚀刻所述支撑层和所述衬底。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底和/或所述支撑层包括基于砷化物的材料，并且其中所述释放层接触所述支撑层并且将所述支撑层耦接到所述衬底。

3.如权利要求2所述的方法，其中提供所述释放层、所述支撑层和所述至少一个器件层包括：

在包括所述基于砷化物的材料的所述衬底上外延地生长包括磷化铟铝的所述释放层；

在所述释放层上外延地生长包括所述基于砷化物的材料的所述支撑层；以及

在所述支撑层上外延地生长所述至少一个器件层。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述支撑层相对于所述器件层、所述释放层和/或所述衬底受到压缩应变。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述释放层与所述衬底之间的晶格失配小于约百万分之500（ppm）。

6.如权利要求2所述的方法，其中所述衬底和/或所述支撑层包括第III族砷化物材料和/或第III-V族砷化物材料。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述基于砷化物的材料包括砷化铟镓、砷化镓、氮砷化铟镓和/或氮砷锑化铟镓。

8.如权利要求1所述的方法，其中选择性蚀刻包括：

使用包括盐酸的蚀刻溶液来选择性地横向蚀刻所述磷化铟铝释放层。

9.如权利要求8所述的方法，其中所述蚀刻溶液进一步包括乙醇。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述蚀刻溶液进一步包括被配置成在所述衬底和/或所述支撑层上形成自组装单层的化合物。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述释放层具有约0.02微米（μm）至约1 μm的厚度，并且其中所述选择性蚀刻足以以每小时超过约0.1毫米（mm）的速率来蚀刻所述释放层。

12.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个器件层在所述支撑层横向延伸为所述至少一个器件层的厚度的至少约100倍的距离。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述至少一个器件层上部分地或全部地形成半导体器件，并且通过在选择性蚀刻所述释放层之前的微制造技术来暴露所述释放层的一部分。

14.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在选择性蚀刻所述释放层之前在所述至少一个器件层上形成封装层。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述封装层包括光致抗蚀剂材料，并且进一步包括：

在选择性蚀刻所述释放层之前烘焙所述光致抗蚀剂材料。

16.如权利要求14所述的方法，进一步包括：

在所述封装层内形成锚固和/或栓固结构，其中所述锚固和/或栓固结构被配置成在所述选择性蚀刻期间和之后维持所述半导体器件的空间定向。

17.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个器件层包括光伏电池的有源层，并且进一步包括在形成所述封装层之前的以下步骤：

在所述有源层上提供磷化铟铝窗口层；以及

在所述窗口层上提供电介质抗反射涂层。

18.如权利要求14所述的方法，其中所述至少一个器件层包括磷化铟铝和/或砷化铝镓。

19.如权利要求1所述的方法，其中所述支撑层包括基于第III族砷化物的横向导电层，所述横向导电层具有每平方小于约50欧姆的薄层电阻。

20.如权利要求1所述的方法，其中所述至少一个器件层包括可转印光伏电池、发光二极管、射频器件或无线器件的有源层。