[发明专利]存储器单元、非易失性存储器阵列、操作存储器单元的方法、从存储器单元读取及向存储器单元写入的方法以及编程存储器单元的方法

权利要求书

1.一种操作存储器单元的方法，其包括使用不同于用来读取所述存储器单元的经编程状态的电极的电极来改变所述存储器单元的所述经编程状态。

2.一种向存储器单元写入及从所述存储器单元读取的方法，其包括使用第一及第二相对电极来从所述存储器单元读取及使用第三及第四相对电极来向所述存储器单元写入；所述第一、第二、第三及第四电极构成不同电极。

3.一种编程存储器单元的方法，所述存储器单元包括具有接纳于其之间的电阻可切换材料的一对相对导电电极，所述方法包括：

沿主要横向定向的方向通过所述电阻可切换材料施加电场以致使所述电阻可切换材料内的移动掺杂剂朝向或远离所述电阻可切换材料的相对横向边缘中的一者横向移动以改变所述对电极之间的电阻，所述电阻可切换材料在所述所施加的电场被移除之后保持所述经改变的电阻。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述施加所述电场包括跨越横向于所述对相对导电电极的相对侧而接纳的两个额外导电电极施加电压差，在所述施加所述电场期间所述两个额外导电电极与所述对相对导电电极电绝缘。

5.根据权利要求4所述的方法，其中远离所述电阻可切换材料在立面上接纳跨越其施加所述电压差的所述两个额外导电电极。

6.根据权利要求4所述的方法，其中跨越其施加所述电压差的所述两个额外导电电极在立面上与所述电阻可切换材料重叠。

7.根据权利要求6所述的方法，其中跨越其施加所述电压差的所述两个额外导电电极在立面上与所述电阻可切换材料叠合。

8.根据权利要求3所述的方法，其中在所述施加期间将所述对的所述相对导电电极拉到实质上相同的电压。

9.根据权利要求8所述的方法，其中在所述施加期间将所述对相对导电电极中的每一者拉到0V。

10.根据权利要求3所述的方法，其中在所述施加期间无外部电压施加到所述对相对导电电极。

11.一种向交叉点存储器单元阵列中的交叉点存储器单元写入及从所述交叉点存储器单元读取的方法，所述交叉点存储器单元阵列包括多个字线及与所述多个字线交叉的多个位线，所述交叉点存储器单元中的个别交叉点存储器单元包括所述多个字线与所述多个位线相对于彼此的交叉中的不同一者，所述方法包括：

通过在位于存储器单元的相对横向侧上的两个紧邻位线之间施加差分写入电压来向所述存储器单元写入；及

通过在所述存储器单元的交叉字线与交叉位线之间施加差分读取电压并感测由于所述施加所述读取电压所致的电流来从所述存储器单元读取。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述两个紧邻位线与所述存储器单元电绝缘。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述差分读取电压与所述差分写入电压彼此不同。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述个别存储器单元包括接纳于所述交叉字线与位线之间的电阻可切换材料，所述写入包括在至少两个不同电阻状态之间切换所述电阻可切换材料的电阻，所述电阻可切换材料的所述电阻静态地保持于经编程电阻状态中直到被编程到不同电阻状态为止。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述写入包括致使所述电阻可切换材料内的移动掺杂剂朝向或远离所述电阻可切换材料的相对横向边缘中的一者横向移动。

16.根据权利要求15所述的方法，其中所述写入使所述移动掺杂剂朝向所述一个横向边缘移动以形成沿着所述一个横向边缘定域的导电沟道。

17.根据权利要求16所述的方法，其中所述写入在所述存储器单元的所述交叉字线与位线之间形成具有恒定横向宽度的所述导电沟道。

18.根据权利要求17所述的方法，其中所述写入在所述存储器单元的所述交叉位线与交叉字线之间形成每单位长度的所述沟道具有恒定导电率的所述导电沟道。

19.根据权利要求17所述的方法，其中所述写入形成在更接近所述存储器单元的所述交叉位线处比接近所述存储器单元的所述交叉字线处每单位长度的所述沟道更具导电性的所述导电沟道。