[发明专利]光伏发电设备及其制造方法有效
申请号: | 201180039063.2 | 申请日: | 2011-04-27 |
公开(公告)号: | CN103069574A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 李真宇 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 许向彤;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发电 设备 及其 制造 方法 | ||
1.一种光伏发电设备,包括:
衬底;
在所述衬底上的第一后电极;
设置于所述衬底上并且与所述第一后电极分隔开的第二后电极;以及
设置于所述第一后电极和所述第二后电极之间的分隔物。
2.根据权利要求1所述的设备,包括:
在所述第一后电极上的第一光吸收部;以及
在所述第二后电极上的第二光吸收部,
其中,所述分隔物设置于所述第一光吸收部和所述第二后光吸收部之间。
3.根据权利要求2所述的设备,其中,所述分隔物直接接触所述第一光吸收部的侧表面和所述第二光吸收部的侧表面。
4.根据权利要求2所述的设备,包括:
在所述第一光吸收部上的第一窗口,
其中,所述第一窗口覆盖所述分隔物。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一光吸收部覆盖所述分隔物。
6.根据权利要求1所述的设备,其中,所述分隔物包括氧化硅。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述分隔物与所述衬底一体形成。
8.一种光伏发电设备,包括:
衬底;
在所述衬底上的多个分隔物;以及
分别设置于所述分隔物之间的多个后电极。
9.根据权利要求8所述的设备,包括:
分别设置于所述隔板之间的所述后电极上的多个光吸收部。
10.根据权利要求9所述的设备,包括:
在所述光吸收部上的多个窗口,
其中,所述窗口分别覆盖所述分隔物。
11.根据权利要求8所述的设备,其中,所述分隔物的上表面的粗糙度大于所述分隔物的侧表面的粗糙度。
12.根据权利要求8所述的设备,其中,所述分隔物与所述衬底一体形成。
13.一种光伏发电设备的制造方法,所述方法包括:
在衬底上形成多个牺牲分隔物;
在所述衬底上的所述牺牲分隔物之间形成多个后电极中的每一个;
在多个所述后电极上形成多个光吸收部;
部分去除所述牺牲分隔物;以及
在所述牺牲分隔物和所述光吸收部上形成窗口层。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,形成所述光吸收部之后去除所述牺牲分隔物。
15.根据权利要求13所述的方法,其中,所述牺牲分隔物具有在20μm至30μm范围内的高度。
16.根据权利要求13所述的方法,其中,形成所述牺牲分隔物包括:
局部加热所述衬底;以及
局部升高被加热的衬底。
17.根据权利要求13所述的方法,其中,形成所述光吸收部包括:
在所述后电极上形成光吸收层;以及
形成与所述牺牲分隔物相邻并且设置于所述光吸收层中的通槽。
18.根据权利要求17所述的方法,其中,形成所述通槽包括:
利用所述牺牲分隔物作为参照物确定所述通槽的位置。
19.根据权利要求13所述的方法,包括:
在所述窗口层中形成通槽,
其中,利用所述牺牲分隔物作为参照物确定所述通槽的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的