[发明专利]延长寿命的沉积环无效
申请号: | 201180039171.X | 申请日: | 2011-07-25 |
公开(公告)号: | CN103069542A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | L·霍雷查克 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/203 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 胡林岭 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 延长 寿命 沉积 | ||
1.一种工艺配件,包含:
环形沉积环主体,包含:
内壁;
外壁;
倾斜上壁,所述倾斜上壁界定所述环主体的上表面的至少一部分,且朝着所述外壁向上倾斜;
顶壁,所述顶壁定位于所述倾斜上壁与所述外壁之间;
底壁,所述底壁与所述顶壁分隔一距离;以及
凹槽,所述凹槽凹入所述倾斜上壁与所述内壁之间的所述环主体的所述上表面中,其中所述凹槽的最低点延伸至所述顶壁与所述底壁之间的所述距离的至少一半。
2.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含:
至少一个刻痕,所述至少一个刻痕延伸至所述主体中,且朝着所述外壁与所述顶壁之间的所述底壁延伸;
内边缘,所述内边缘界定所述环主体的所述上表面的至少一部分,且其中所述内边缘定位于所述内壁的径向外部且垂直于所述内壁;以及
焊盘,所述焊盘定位于所述外壁的径向内部,且其中所述焊盘平行于所述底壁。
3.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述内壁与所述外壁平行,且其中所述顶壁和所述底壁垂直于所述内壁和所述外壁。
4.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含上部内壁,所述上部内壁定位于所述内壁的径向外部且平行于所述内壁。
5.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含凹陷部分,所述凹陷部分相对于所述底壁凹陷且平行于所述底壁。
6.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体的所述外壁包含锥形区段,所述锥形区段邻接所述环主体的所述上表面。
7.如权利要求1所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含槽,所述槽朝着所述环主体的所述上表面延伸至所述底壁中。
8.一种工艺配件,包含:
环形沉积环主体,包含:
内壁;
外壁,所述外壁与所述内壁分隔一距离;
倾斜上壁,所述倾斜上壁界定所述环主体的上表面的至少一部分,且朝着所述外壁向上倾斜,其中所述倾斜上壁的顶点自所述内壁延伸至所述内壁与所述外壁之间的所述距离的至少一半;
顶壁,所述顶壁定位于所述倾斜上壁与所述外壁之间;
底壁;以及
凹槽,所述凹槽凹入所述倾斜上壁与所述内壁之间的所述环主体的所述上表面中。
9.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含:
至少一个刻痕,所述至少一个刻痕延伸至所述主体中,且朝着所述外壁与所述顶壁之间的所述底壁延伸;
内边缘,所述内边缘界定所述环主体的所述上表面的至少一部分,且其中所述内边缘定位于所述内壁的径向外部且垂直于所述内壁;以及
焊盘,所述焊盘定位于所述外壁的径向内部,且其中所述焊盘平行于所述底壁。
10.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述内壁与所述外壁平行,且其中所述顶壁和所述底壁垂直于所述内壁和所述外壁。
11.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含上部内壁,所述上部内壁定位于所述内壁的径向外部且平行于所述内壁。
12.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含凹陷部分,所述凹陷部分相对于所述底壁凹陷且平行于所述底壁。
13.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体的所述外壁包含锥形区段,所述锥形区段邻接所述环主体的所述上表面。
14.如权利要求8所述的工艺配件,其特征在于,所述环主体进一步包含槽,所述槽朝着所述环主体的所述上表面延伸至所述底壁中。
15.一种工艺配件,包含:
环形沉积环主体,包含:
内壁;
外壁,所述外壁与所述内壁分隔第一距离;
倾斜上壁,所述倾斜上壁界定所述环主体的上表面的至少一部分,且朝着所述外壁向上倾斜,其中所述倾斜上壁的顶点自所述内壁延伸至所述内壁与所述外壁之间的所述第一距离的至少一半;
顶壁,所述顶壁定位于所述倾斜上壁与所述外壁之间;
底壁,所述底壁与所述顶壁分隔第二距离;
凹槽,所述凹槽凹入所述倾斜上壁与所述内壁之间的所述环主体的所述上表面中,其中所述凹槽的最低点延伸至所述顶壁与所述底壁之间的所述第二距离的至少一半;以及
焊盘,所述焊盘定位于所述外壁的径向内部且平行于所述底壁;以及
盖环,所述盖环具有经定位以与所述环主体的所述焊盘配合的凸耳,其中所述盖环包含唇部,所述唇部经定位以在所述盖环的所述凸耳与所述环主体的所述焊盘配合时与所述环主体的所述顶壁形成曲径间隙。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造