[发明专利]硅带、球状硅、太阳能电池单元、太阳能电池组件、硅带的制造方法及球状硅的制造方法

权利要求书

1.一种硅带(11)，其是由熔液(12)直接制作的硅带(11)，所述硅带(11)的氮浓度为5×10¹⁵原子数/cm³以上且5×10¹⁷原子数/cm³以下。

2.根据权利要求1所述的硅带(11)，其中，所述氮浓度为1×10¹⁶原子数/cm³以上且5×10¹⁶原子数/cm³以下。

3.一种太阳能电池单元，其是使用权利要求1或2所述的硅带(11)制作的。

4.一种太阳能电池组件，其包含权利要求3所述的太阳能电池单元。

5.一种球状硅(53)，其是由熔液(12)直接制作的球状硅(53)，所述球状硅(53)的氮浓度为5×10¹⁵原子数/cm³以上且5×10¹⁷原子数/cm³以下。

6.根据权利要求5所述的球状硅(53)，其中，所述氮浓度为1×10¹⁶原子数/cm³以上且5×10¹⁶原子数/cm³以下。

7.一种太阳能电池单元，其是使用权利要求5或6所述的球状硅(53)制作的。

8.一种太阳能电池组件，其包含权利要求7所述的太阳能电池单元。

9.一种硅带(11)的制造方法，其包括：

制作含氮硅熔液(12)的工序；和

由所述含氮硅熔液(12)生长氮浓度为5×10¹⁵原子数/cm³以上且5×10¹⁷原子数/cm³以下的硅带(11)的工序。

10.根据权利要求9所述的硅带(11)的制造方法，其中，在生长所述硅带(11)的工序中，生长所述氮浓度为1×10¹⁶原子数/cm³以上且5×10¹⁶原子数/cm³以下的硅带(11)。

11.根据权利要求9或10所述的硅带(11)的制造方法，其中，在生长所述硅带(11)的工序中，在生长用基板(14)上生长所述硅带(11)。

12.根据权利要求11所述的硅带(11)的制造方法，其中，在生长所述硅带(11)的工序中，所述硅带(11)的生长速度为20μm/秒以上。

13.一种球状硅(53)的制造方法，其包括：

制作含氮硅熔液(12)的工序；和

通过使所述含氮硅熔液(12)落下而生长氮浓度为5×10¹⁵原子数/cm³以上且5×10¹⁷原子数/cm³以下的球状硅(53)的工序。

14.根据权利要求13所述的球状硅(53)的制造方法，其中，在生长所述球状硅(53)的工序中，生长所述氮浓度为1×10¹⁶原子数/cm³以上且5×10¹⁶原子数/cm³以下的球状硅(53)。

15.根据权利要求13或14所述的球状硅(53)的制造方法，其中，在生长所述球状硅(53)的工序中，所述球状硅(53)的生长速度为20μm/秒以上。