[发明专利]用于测定在被测介质中的分析物浓度的测量装置及方法

权利要求书

1.一种用于测定在被测介质（M）中的分析物浓度的测量装置（1，1'，1''，1′″），其中所述测量装置包括三电极装置，所述三电极装置具有工作电极（WE）、基准电极（RE）和对置电极（CE），

其中所述工作电极（WE）包括分析物不敏感氧化还原介体（4），并且所述基准电极（RE）包括分析物敏感电极。

2.根据权利要求1所述的测量装置（1，1'，1''，1′″），

其中所述测量装置（1，1'，1''，1′″）包括控制电路，特别是恒电势控制电路，所述控制电路被具体化为在所述工作电极（WE）和所述基准电极（RE）之间提供期望的电压（U_mess），并在这样的情况下测定在所述对置电极（CE）和所述工作电极（WE）之间流过被测介质（M）的电流。

3.根据权利要求1或2所述的测量装置（1，1'，1''，1′″），

其中所述测量装置（1，1'，1''，1′″）被具体化为通过所述三电极装置来执行安培法测量，特别是伏安法测量。

4.根据权利要求1至3中的一项所述的测量装置（1，1'，1''，1′″），

其中所述测量装置（1，1'，1''，1′″）包括函数发生器，所述函数发生器被具体化为指定在所述工作电极（WE）和所述基准电极（RE）之间所要提供的电压曲线（U_mess），其中作为提供预定电压曲线（U_mess）的结果，所述测量装置（1，1'，1''，1′″）被具体化为测定在所述工作电极（WE）和所述对置电极（CE）之间流过被测介质（M）的、作为在所述基准电极（RE）和所述工作电极（WE）之间提供的电压的函数的电流。

5.根据权利要求2至4中的一项所述的测量装置（1，1'，1''，1′″），

包括评估系统，所述评估系统被具体化为根据在伏安法测量的情况下测定的在所述工作电极（WE）和所述对置电极（CE）之间的电流曲线，确定处于所述工作电极（WE）和所述基准电极（RE）之间的电压的值，在该电压处，所述电流曲线具有与所述氧化还原介体（4）的氧化或还原相关联的局部极值，并且根据该值得出在被测介质（M）中的分析物浓度。

6.根据权利要求1至5中的一项所述的测量装置（1，1'，1''，1'''），

其中所述氧化还原介体（4）选自由以下物质组成的组：普鲁士蓝或柏林蓝、普鲁士蓝或柏林蓝的类似物、普鲁士蓝或柏林蓝的衍生物、二茂铁、二茂铁的类似物、二茂铁的衍生物、邻菲咯啉亚铁离子、Ce³⁺/Ce⁴⁺氧化还原体系以及I^-/I₂氧化还原体系。

7.根据权利要求1至6中的一项所述的测量装置（1，1'，1''，1'''），

其中所述氧化还原介体（4）固定在所述工作电极（WE）的导电表面上。

8.根据权利要求7所述的测量装置（1，1'，1''，1'''），

其中所述氧化还原介体结合在布置于所述工作电极的表面上的聚合物膜中。

9.根据权利要求1至8中的一项所述的测量装置（1'，1''，1′″），

其中所述工作电极（WE）包括容纳在壳体中的内电解液（8，19），与所述测量装置（1，1'，1″）的工作电极连接部连接的电势感测元件（9，16）伸到所述电解液（8，19）中，并且其中所述内电解液（8，19）经由液体交界（10，17）、特别是隔膜与被测介质（M）导电接触或电解导电接触。

10.根据权利要求1至9中的一项所述的测量装置（1，1'，1''，1'''），

其中所述基准电极（RE）包括：容纳在壳体（12）中的内电解液，特别是pH缓冲液内电解液；和分析物敏感膜（5，14），所述分析物敏感膜（5，14）在被设置成与被测介质（M）接触的区域中使所述壳体（12）终止。

11.根据权利要求1至10中的一项所述的测量装置（1），

其中所述基准电极（RE）包括分析物敏感ISFET芯片，特别是pH敏感ISFET芯片。

12.一种用于确定在被测介质（M）中的分析物浓度的方法，其中工作电极（WE）、基准电极（RE）和对置电极（CE）与被测介质（M）形成导电接触，其中所述工作电极（WE）包括分析物不敏感氧化还原介体（4），所述对置电极（CE）包括不活泼物质，并且所述基准电极（RE）包括分析物敏感电极，并且其中执行伏安法测量，并且基于所述伏安法测量来确定所述分析物浓度。