[发明专利]高电压低电流表面发射LED

权利要求书

1.一种LED芯片，包括：

子基板上的多个子LED；

导电和电绝缘特征，所述特征使所述子LED串联互连以使得施加到所述串联互连的子LED的电信号沿所述导电特征扩散到所述串联互连的子LED；以及

布置成将所述子LED中的一个子LED电连接到所述子基板的通路。

2.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子基板是导电的，所述通路上的电信号穿过所述子基板。

3.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子基板是电绝缘的，所述通路延伸穿过所述子基板。

4.如权利要求1所述的LED芯片，进一步包括电耦接到所述串联互连的子LED中的所述第一子LED的焊线垫，所述通路电耦接到所述串联互连的子LED中的最后一个子LED。

5. 如权利要求1所述的LED芯片，其中跨所述焊线垫和所述通路施加的电信号导致所述子LED发光。

6.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子LED由单结LED形成。

7.如权利要求1所述的LED芯片，包括将所述子LED中的两个子LED串联互连的多个导电特征，每个所述导电特征能够在所述子LED中的所述两个子LED之间扩散所述电信号。

8.如权利要求1所述的LED芯片，进一步包括在所述子基板与所述子LED之间的绝缘层。

9.如权利要求1所述的LED芯片，其中驱动所述子LED所必需的电压依赖于所述串联互连的子LED的数量和所述子LED的结电压。

10.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述有效区域利用率大于50%。

11.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述有效区域利用率大于75%。

12.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子LED被倒装式安装在所述子基板上。

13.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子LED之间的对齐公差小于5微米。

14.如权利要求1所述的LED芯片，其中所述子LED之间的对齐公差小于2微米。

15.如权利要求1所述的LED芯片，从所述子LED发射白光。

16.一种LED芯片，包括：

安装在子基板上的多个子LED；

使所述子LED串联互连的连接迹线；

使所述子LED的部分与所述连接迹线绝缘的绝缘特征；以及

布置成为电信号从所述子LED中的一个子LED穿过所述子基板创造条件的通路。

17.如权利要求16所述的LED芯片，进一步包括多个底部触点，每个底部触点在所述子LED中的一个子LED与所述子基板之间。

18.如权利要求16所述的LED芯片，进一步包括布置在所述子LED与所述子基板之间的金属堆和绝缘层，所述通路穿过所述子基板。

19.如权利要求16所述的LED芯片，其中所述子基板是导电的，所述通路上的电信号电耦接到所述子基板。

20.如权利要求16所述的LED芯片，其中所述子基板是电绝缘的，所述通路延伸穿过所述子基板。

21.如权利要求16所述的LED芯片，进一步包括电耦接到所述串联互连的子LED中的所述第一子LED的焊线垫，所述通路电耦接到所述串联互连的子LED中的最后一个子LED。

22.如权利要求16所述的LED芯片，其中跨所述焊线垫和所述通路施加的电信号导致所述子LED发光。

23.如权利要求16所述的LED芯片，其中跨所述焊线垫和所述子基板施加的电信号导致所述子LED发光。

24.如权利要求16所述的LED芯片，其中所述子LED中的至少两个子LED通过多个所述连接迹线互连。