[发明专利]阻性存储设备的写入和擦除方案

权利要求书

1.一种用于编程双端阻性存储设备的方法，该方法包括：

将偏置电压施加到所述设备的阻性存储单位的第一电极；

测量流过所述单位的电流；以及

如果所测量的电流等于或大于预定值，则开始终止过程以停止施加该偏置电压。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，测量所述电流包括：

检测电流随时间的变化率。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，检测所述电流包括：

检测电流随电压变化的变化率。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述阻性存储设备包括：

顶部电极；

切换元件；以及

底部电极。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述阻性存储设备包括金属氧化物材料和导电细丝，该金属氧化物材料是具有晶界的多晶材料，并且该导电细丝包括在所述晶界中形成的一个或多个氧空位或金属空位。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在开始所述终止过程后经过了一定的时间延迟时，完成所述终止过程。

7.一种在切换设备中形成导电细丝结构的方法，包括：

设置包括顶部电极、切换元件以及底部电极的阻性切换设备；

在预定的时间段内将预定电压施加到所述设备；

测量在所述预定的时间段内所述设备中的电流随着时间的变化率；

如果电流的所述变化率大于预定值，则开始终止过程以停止施加所述预定电压，以及

如果电流的所述变化率小于预定值，则继续施加所述预定电压，

其中，随着所述预定电压被施加到所述切换设备，所述导电细丝结构在所述切换元件中形成。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，在开始所述终止过程后经过了一定的时间延迟时，完成所述终止过程。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，通过测量所述设备的电阻值来测量所述电流的变化。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在开始所述终止过程后经过了一定的时间延迟时，完成所述终止过程。

11.一种在切换设备中形成导电细丝结构的方法，包括：

设置包括顶部电极、切换元件以及底部电极的阻性切换设备；

在预定的时间段内将预定电流施加到所述设备；

测量在所述预定的时间段内跨越所述设备的电压随时间的变化率；

如果跨越所述设备下降的电压的变化率大于预定值，则开始终止过程以停止施加所述预定电流，以及

如果跨越所述设备下降的电压的变化率小于预定值，则继续施加所述预定电流，

其中，随着所述电流被施加到所述切换设备，所述导电细丝结构在所述切换元件中形成。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，在开始终止过程后经过了一定的时间延迟时，完成所述终止过程。

13.根据权利要求11所述的方法，其中，所述电流以电流脉冲的形式被施加并且以线性模式随时间增加。

14.根据权利要求11所述的方法，其中，所述电流以预定模式随时间增加。

15.根据权利要求11所述的方法，其中，在开始所述终止过程后经过了一定的时间延迟时，完成所述终止过程。

16.根据权利要求11所述的方法，其中，通过测量所述设备的电阻值来测量所述电压的变化。

17.一种用于编程双端阻性存储设备的电路，该电路包括：

用于将偏置电压施加到所述设备的阻性存储单位的第一电极的器件；

用于测量流过所述单位的电流的器件；以及

如果所测量的电流等于或大于预定值则用于开始终止过程以停止施加所述偏置电压的器件。

18.根据权利要求17所述的电路，其中，所述用于测量电流的器件包括：

用于检测电流随时间的变化率的器件。

19.根据权利要求17所述的电路，其中，所述用于检测电流的器件包括：

用于检测电流随电压变化的变化率的器件。