[发明专利]有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 201180039763.1 | 申请日： | 2011-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN103069555B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 长谷川达生;峰回洋美;山田寿一;松井弘之 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | H01L21/368 | 分类号： | H01L21/368;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机半导体 薄膜 以及 制造 方法 | ||
1.一种有机半导体薄膜的制造方法，包括如下工序：准备第一墨水和第二墨水的工序、以及在基板上混合所述第一墨水和所述第二墨水的工序，所述第一墨水是将有机半导体以高浓度溶解在对所述有机半导体具有高亲合力的有机溶剂中而得到的墨水，所述第二墨水由对所述有机半导体具有低亲合力的有机溶剂构成。
2.根据权利要求1所述的有机半导体薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一墨水和所述第二墨水从各墨水头同时或者交替地喷在基板上。
3.根据权利要求1或2所述的有机半导体薄膜的制造方法，其特征在于，所述有机半导体是TIPS并五苯。
4.一种有机半导体单晶薄膜的制造方法，包括如下工序：准备第一墨水和第二墨水的工序、以及在基板上混合所述第一墨水和所述第二墨水并形成储存墨水的区域的工序，所述第一墨水是将有机半导体以高浓度溶解在对所述有机半导体具有高亲合力的有机溶剂中而得到的墨水，所述第二墨水由对所述有机半导体具有低亲合力的有机溶剂构成，其特征在于，
使所述储存墨水的区域的一部分形成能高效地产生籽晶的形状，并以此处为起点而在储存墨水的区域的大致整个区域内使单晶生长。
5.一种有机半导体单晶薄膜的制造方法，包括如下工序：准备第一墨水和第二墨水的工序、以及在基板上混合所述第一墨水和所述第二墨水并形成储存墨水的区域的工序，所述第一墨水是将有机半导体以高浓度溶解在对所述有机半导体具有高亲合力的有机溶剂中而得到的墨水，所述第二墨水由对所述有机半导体具有低亲合力的有机溶剂构成，其特征在于，
所述储存墨水的区域由产生籽晶的小贮液部位、从所述籽晶使单晶生长的大贮液部位、以及用于抑制各贮液部位之间的对流和选择晶体生长方向的缩颈部位所构成。
6.根据权利要求4或5所述的有机半导体单晶薄膜的制造方法，其特征在于，所述第一墨水和所述第二墨水从各墨水头同时或者交替地喷在基板上。
7.根据权利要求4至6中任意一项所述的有机半导体单晶薄膜的制造方法，其特征在于，通过对疏水化处理后的基板表面的一部分进行亲水化处理后，并对亲水化处理后的所述基板表面的一部分再进行亲油性处理，来划分所述储存墨水的区域。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
