[发明专利]晶片的热处理方法、硅晶片的制造方法、硅晶片及热处理装置

权利要求书

1.一种晶片的热处理方法，其在利用支撑部件来支撑晶片的主表面即第一主表面的状态下，以加热源进行加热，从而进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，

一边控制前述加热源一边进行热处理，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。

2.如权利要求1所述的晶片的热处理方法，其中，通过改变第一加热源与第二加热源的输出比来进行控制，所述第一加热源用以加热前述晶片的前述第一主表面，所述第二加热源用以加热前述第二主表面，以使前述第一主表面的温度比前述第二主表面的温度更高1～25℃。

3.如权利要求2所述的晶片的热处理方法，其中，使用卤素灯来作为前述第一加热源及前述第二加热源，且将前述第二加热源的输出设为前述第一加热源的输出的10～90%。

4.如权利要求1或2所述的晶片的热处理方法，其中，使用卤素灯来作为前述加热源。

5.如权利要求1至4中任一项所述的晶片的热处理方法，其中，将前述支撑部件作成根据多数个支撑点来支撑前述晶片的外周部，并使前述晶片保持水平。

6.如权利要求1至5中任一项所述的晶片的热处理方法，其中，将前述规定温度设为700℃以上且低于1150℃。

7.如权利要求1至5中任一项所述的晶片的热处理方法，其中，将前述规定温度设为1150℃以上且低于1250℃。

8.如权利要求1至5中任一项所述的晶片的热处理方法，其中，将前述规定温度设为1250℃以上。

9.一种硅晶片的制造方法，其特征在于，

至少，通过柴氏法来培育单晶硅晶棒，并将该单晶硅晶棒切片，加工成单晶硅基板后，对该单晶硅基板进行热处理，所述热处理是通过权利要求1至8中任一项所述的晶片的热处理方法来进行。

10.一种硅晶片，其特征在于，

通过权利要求1至8中任一项所述的晶片的热处理方法进行热处理而成。

11.一种热处理装置，其是用于对晶片进行在规定温度下的伴随快速升降温的热处理，其特征在于，其至少具备：

腔室，所述腔室用来收容前述晶片；

支撑部件，所述支撑部件支撑前述晶片的第一主表面；

第一加热源，所述第一加热源加热前述晶片的前述第一主表面；

第二加热源，所述第二加热源加热前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面；以及

控制机构，所述控制机构用于分别独立控制前述第一加热源的输出与前述第二加热源的输出；

并且，前述控制机构，分别独立控制前述第一加热源的输出及前述第二加热源的输出，以使由前述支撑部件所支撑的前述第一主表面的温度比前述晶片的前述第一主表面的相反侧的主表面即第二主表面的温度更高1～25℃。

12.如权利要求11所述的热处理装置，其中，将前述第一加热源及第二加热源设为卤素灯。