[发明专利]用于感应组件的扼流圈和制造该扼流圈的方法

权利要求书

1.用于感应组件的扼流圈（2），所述感应组件是诸如具有电容器（3）的dudt滤波器（1），所述扼流圈（2）包括至少芯体（10）和线圈（11），并且所述扼流圈（2）被构造成通过使用和调节由结构性元件（19）组成的芯体（10）的芯体损耗来衰减电压过冲（5），其特征在于，所述芯体（10）由相对于所述芯体（10）的尺寸尽可能大的、且其形式为多面体形状的细长的结构性元件（19）装配成，在所述结构性元件中，磁通量（20）经布置以穿过由所述结构性元件（19）形成的芯体横截面面积，其中沿最后一个结构性元件的磁通量的传播方向上的横截面面积大于沿整个芯体（10）的磁通量方向上的横截面面积的15%。

2.根据权利要求1所述的扼流圈（2），其特征在于，通过使用本质上均匀的结构性元件（19）、并且还通过使用所述结构性元件（19）的姿态、形状、材料和/或热处理、并且还通过布置所述磁通量（20）以穿过结构性元件（19）的最大横截面面积，在设计阶段、装配阶段和/或运行阶段已将所述芯体损耗调整为期望的那些损耗。

3.根据权利要求1或2所述的扼流圈（2），其特征在于，所述芯体（10）由结构性元件（19）组成，在所述结构性元件中，通过结构性元件（19）的形状来选择涡电流（16）的路径，以便由所述涡电流（16）产生的损耗在产生20-80%电压过冲的范围内。

4.根据权利要求1、2或3所述的扼流圈（2），其特征在于，所述芯体（10）已由绝缘金属粉末压制的本质上均匀的结构性元件（19）构造成，用所述结构性元件（19）的材料的磁导率、电阻系数和/或几何尺寸来调节在对所述电容器（3）充电期间的感应电流（15）和阻性电流（17）的比率。

5.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，在所述扼流圈的全部操作频率范围内，所述芯体材料的磁导率的值本质上恒定。

6.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，为了实现最佳的可能磁导率和电阻系数，已用不同温度（T1、T2、...TN）下经历不同时间（t_1、t_2、...tN）的最优化热处理模式对所述结构性元件（19）进行了热处理。

7.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，所述芯体（10）根据本质上最适合将要制造的每个滤波器（1）的结构性元件构造而被装配成本质上多面体形状，所述结构性元件构造由结构性元件（19）组成并且被试验和重复地实现。

8.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，线圈（11）由多个平行连接的绝缘电缆制成，并且特征在于线圈（11）包括至少两圈。

9.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，将冷却液体管（26）集成到所述芯体（10）中。

10.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，在设备柜中将所述线圈电缆（11）的末端（28）连接至其最终连接点，而不需要要求接合点的单独和昂贵的轨道。

11.根据上述权利要求任一项所述的扼流圈（2），其特征在于，所述线圈（11）包括一个堆叠在另一个的顶部上的多个板（31）。

12.一种制造感应组件的扼流圈（2）的方法，所述感应组件是诸如具有电容器（3）的dudt滤波器（1），所述扼流圈（2）包括至少芯体（10）和线圈（11），并且所述扼流圈（2）被构造成通过使用和调节由结构性元件（19）组成的芯体（10）的芯体损耗来衰减电压过冲（5），其特征在于，所述芯体（10）由相对于所述芯体（10）的尺寸尽可能大的、其形式为多面体形状的细长的结构性元件（19）装配成，在所述结构性元件中，磁通量（20）经布置以穿过由所述结构性元件（19）形成的所述芯体横截面面积，其中沿最后一个结构性元件（19）的磁通量的传播方向上的横截面面积大于沿整个芯体（10）的磁通量（20）方向上的横截面面积的15%。