[发明专利]硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、使用其获得的Sr3Al3Si13O2N21荧光体和β-赛隆荧光体以及它们的制备方法

权利要求书

1.一种硅氮化物荧光体用氮化硅粉末，所述氮化硅粉末为晶体氮化硅粉末，其被用作制备包含硅元素、氮元素和氧元素的硅氮化物荧光体的原料，所述氮化硅粉末的平均粒径为1.0μm～12μm、氧含量为0.2重量%～0.9重量%。

2.如权利要求1所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末，其比表面积为0.2m²/g～4.0m²/g。

3.如权利要求1或2所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末，其中所述硅氮化物荧光体为Sr₃Al₃Si₁₃O₂N₂₁荧光体或β-赛隆荧光体。

4.一种通过使用权利要求1或2所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末来制备Sr₃Al₃Si₁₃O₂N₂₁荧光体的方法，所述方法包括：

将所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、作为锶源的材料、作为铝源的材料和作为铕源的材料混合以具有通式(Eu_xSr_1-x)₃Al₃Si₁₃O₂N₂₁；和

将所得混合物于1400℃～2000℃在0.05MPa～100MPa的氮气气氛下煅烧。

5.一种Sr₃Al₃Si₁₃O₂N₂₁荧光体，所述荧光体通过使用权利要求1或2所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末制得，由通式(Eu_xSr_1-x)₃Al₃Si₁₃O₂N₂₁表示，并且通过在1400℃～2000℃下且在含氮的惰性气体气氛下煅烧包含所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、Sr₃N₂粉末、AlN粉末、Al₂O₃粉末和EuN粉末的混合粉末而获得。

6.一种通过使用权利要求1或2所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末来制备β-赛隆荧光体的方法，所述方法包括：

将所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、作为铝源的材料和作为铕源的材料混合以具有通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu_x；和

将所得混合物于1400℃～2000℃在0.05MPa～100MPa的氮气气氛下煅烧。

7.一种β-赛隆荧光体，所述荧光体通过使用权利要求1或2所述的硅氮化物荧光体用氮化硅粉末制得，由通式Si_6-zAl_zO_zN_8-z:Eu_x表示，并且通过在1400℃～2000℃下且在含氮的惰性气体气氛下煅烧包含所述硅氮化物荧光体用氮化硅粉末、AlN粉末、Al₂O₃粉末和Eu₂O₃粉末的混合粉末而获得。