[发明专利]CMOS成像器的带电粒子收集器无效
申请号: | 201180040266.3 | 申请日: | 2011-07-11 |
公开(公告)号: | CN103125009A | 公开(公告)日: | 2013-05-29 |
发明(设计)人: | 丹·韦斯利·奇尔科特;威廉·J·巴尼;约翰·理查德·特罗克塞尔 | 申请(专利权)人: | 安立世 |
主分类号: | H01J31/58 | 分类号: | H01J31/58;H01J29/39;H01J9/233 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李向英 |
地址: | 美国弗*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 成像 带电 粒子 收集 | ||
1.一种带电粒子感应设备,包括:
带电粒子源;
用于从所述带电粒子源接收第一部分带电粒子的多个收集器电极;以及
在所述多个收集器电极周围形成并与多个收集器电极间隔的网格,所述网格从带电粒子源接收第二部分带电粒子,并将响应于所述第二部分所生成的反向散射的带电粒子定向到相邻的收集器电极。
2.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,其中,所述网格是由导电材料制成的。
3.根据权利要求2所述的带电粒子感应设备,其中,所述网格与所述多个收集器电极电气隔离。
4.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,其中,所述多个收集器电极包括具有不同厚度的第一组收集器电极和第二组收集器电极,以及
所述第一组收集器电极与所述第二组收集器电极交错地排列。
5.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,其中,每个收集器电极都是以不均匀的形状形成的。
6.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,还包括被置于所述源和所述多个收集器电极之间的微通道板(MCP)。
7.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,其中,每个收集器电极都包括用于接收所述第一部分带电粒子的入射表面,所述入射表面包括形成井的凹陷的表面。
8.根据权利要求7所述的带电粒子感应设备,其中,所述井是以矩形形状和梯形形状中的一种形成的。
9.根据权利要求7所述的带电粒子感应设备,其中,所述井将响应于第一部分带电粒子所生成的反向散射的带电粒子定向到所述对应的收集器电极。
10.根据权利要求1所述的带电粒子感应设备,其中,每个收集器电极都包括用于接收所述第一部分带电粒子的入射表面,所述入射表面包括多个井。
11.根据权利要求10所述的带电粒子感应设备,其中,所述多个收集器电极被置于介电层上,所述介电层包括对应于相应的收集器电极中的所述多个井的多个井。
12.根据权利要求10所述的带电粒子感应设备,其中,所述多个井中的井是以矩形形状或倒金字塔形状中的一种形成的。
13.一种带电粒子感应设备,包括:
带电粒子源;以及
用于从带电粒子源接收所述带电粒子的带电粒子收集表面,所述带电粒子收集表面包括:
多个收集器电极,以及
在所述多个收集器电极周围形成并与多个收集器电极间隔的网格,
其中,所述网格以及所述多个收集器电极中的一个包括与所述带电粒子收集表面间隔的凸起边缘。
14.根据权利要求13所述的带电粒子感应设备,其中,每个收集器电极都包括用于接收所述带电粒子的入射表面,所述入射表面包括至少一个井。
15.根据权利要求13所述的带电粒子感应设备,其中,所述网格包括所述凸起边缘。
16.根据权利要求15所述的带电粒子感应设备,其中,所述网格的凸起边缘相对于所述带电粒子收集表面位于相邻的收集器电极上方。
17.根据权利要求16所述的带电粒子感应设备,其中,所述网格的凸起边缘在垂直于所述带电粒子收集表面的方向与对应的收集器电极重叠。
18.根据权利要求13所述的带电粒子感应设备,其中,每个收集器电极都包括所述凸起边缘。
19.根据权利要求18所述的带电粒子感应设备,其中,所述多个收集器电极包括具有不同厚度的第一组收集器电极和第二组收集器电极,以及
所述第一组收集器电极与所述第二组收集器电极交错地排列。
20.根据权利要求19所述的带电粒子感应设备,其中,第一组的凸起边缘在垂直于所述带电粒子收集表面的方向与第二组的凸起边缘重叠。
21.一种形成带电粒子感应设备的方法,包括:
将多个收集器电极置于带电粒子收集表面上;以及
将网格置于所述带电粒子收集表面上,所述网格围绕多个收集器电极形成并与多个收集器电极间隔。
22.根据权利要求21所述的方法,还包括利用与所述带电粒子收集表面间隔的凸起边缘来形成每个收集器电极。
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