[发明专利]化合物半导体的制造方法

权利要求书

1.一种化合物半导体的制造方法，其特征在于，具备：

工序(a)，在包含硅的基板的上部，形成硅氧化膜；

工序(b)，通过对所述基板中的所述硅氧化膜的下侧的区域，进行离子注入，接着进行热处理，而形成包含注入了离子的单晶硅的基底层；

工序(c)，通过将所述硅氧化膜除去而露出所述基底层；以及

工序(d)，在所述基底层上形成半导体膜。

2.根据权利要求1所述的化合物半导体的制造方法，其中，

利用100KeV以下的加速能进行所述离子注入。

3.根据权利要求1或2所述的化合物半导体的制造方法，其中，

利用1×10¹³ions/cm²以上并且1×10¹⁶ions/cm²以下的剂量率进行所述离子注入。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

在1000℃以上的温度且不活泼气体气氛中进行所述热处理。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

所述半导体膜由Al_xGa_yIn_zN构成，其中x+y+z＝1、0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

在所述工序(d)之前，还具备在所述基底层上形成缓冲层的工序(d1)。

7.根据权利要求6所述的化合物半导体的制造方法，其中，

所述缓冲层中的与所述基底层接触的层由氮化铝构成。

8.根据权利要求6或7所述的化合物半导体的制造方法，其中，

在形成有2层以上的所述缓冲层的情况下，所述缓冲层中的与所述半导体膜接触的层由Al_xGa_yIn_zN构成，其中x+y+z＝1、0≤x≤1、0≤y≤1、0≤z≤1。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

所述离子注入中所用的离子是硼离子或磷离子。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

所述离子注入中所用的离子是硼离子，并且对于其注入量分布而言，在从所述基板的表面起沿深度方向100nm以内的位置处具有最大值。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的化合物半导体的制造方法，其中，

对所述基板的表面中的一部分进行所述离子注入。